[发明专利]最小化热损失并增加均匀性的加热的基板支撑件在审
申请号: | 202180065288.9 | 申请日: | 2021-10-07 |
公开(公告)号: | CN116420218A | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
发明(设计)人: | 帕万库马尔·拉马南德·哈拉帕霍利;甘加达尔·希拉瓦特;苏希尔·R·冈德哈勒卡尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;吴启超 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 最小化 损失 增加 均匀 加热 支撑 | ||
本文提供了在处理腔室中使用的基板支撑件的多个实施例。在一些实施例中,一种在处理腔室中使用的基板支撑件包括:加热板,具有用于支撑基板的上表面和与上表面相对的下表面,其中加热板包含具有第一导热系数的第一材料,并且其中加热板的侧壁和加热板的下表面用包含第二材料的覆盖板覆盖,该第二材料具有小于第一导热系数的第二导热系数;中空轴,耦接至该加热板,其中该中空轴包含具有第三导热系数的第三材料,该第三导热系数小于第一导热系数;和一个或多个加热元件,设置在该加热板中。
本公开内容的多个实施例一般涉及基板处理装备。
基板处理装备通常包括被构造为对基板执行某些处理的处理腔室,这些处理例如化学气相沉积、原子层沉积、退火和类似处理。用于在处理腔室中使用的基板支撑件典型地包括耦接至中空轴的支撑基板的基座,该中空轴向基座提供用于流体、功率、气体等的导管。基座亦可包括嵌入该基座中的加热器,以为某些基板处理向基板提供热量。对于习知的基座,发明人已观察到来自加热器的热量传递离开基板,导致到基座的底表面和轴的热量损失。此外,对于习知的基座,发明人已观察到温度跨(across)基座的上表面变化。
因此,发明人已提供改良的基板支撑件的多个实施例。
发明内容
本文提供了在处理腔室中使用的基板支撑件的实施例。在一些实施例中,在处理腔室中使用的基板支撑件包括:加热板,具有支撑基板的上表面和与上表面相对的下表面,其中加热板包含具有第一导热系数的第一材料,并且其中加热板的侧壁和加热板的下表面用包含第二材料的覆盖板覆盖,该第二材料具有小于第一导热系数的第二导热系数;中空轴,耦接至该加热板,其中该中空轴包含具有第三导热系数的第三材料,该第三导热系数小于第一导热系数;和一个或多个加热元件,设置在该加热板中。
在一些实施例中,一种用于处理腔室的基板支撑件包括:加热板,该加热板具有用于支撑基板的上表面及与上表面相对的下表面,其中加热板包含具有第一导热系数的第一材料,该第一导热系数大于100瓦/米开尔文(W/(m·K)),并且其中加热板的侧壁及加热板的下表面系用包含第二材料的覆盖板覆盖,该第二材料具有小于第一导热系数的第二导热系数;中空轴,耦接至该加热板,其中该中空轴包含第二材料;和一个或多个加热元件,设置在该加热板中。
在一些实施例中,处理腔室包括:腔室主体,界定内部空间;和基板支撑件,至少部分地设置在该内部空间中,其中基板支撑件包含:加热板,该加热板包括设置于加热板中的一个或多个加热元件且包括用于支撑基板的上表面,其中该加热板包含具有第一导热系数的第一材料,并且其中加热板的侧壁和加热板的下表面用包含第二材料的覆盖板覆盖,该第二材料具有小于第一导热系数的第二导热系数;和中空轴,耦接至该加热板,其中该中空轴包含具有第三导热系数的第三材料,该第三导热系数小于第一导热系数。
本公开内容的其他和进一步实施例描述如下。
简要概述于上文且在下文中更详细论述的本公开内容的多个实施例可借由参考在附图中图示的本公开内容的多个说明性实施例来理解。然而,附图仅图示本公开内容的多个典型实施例并且因此不被视为对范畴之限制,因为本公开内容可允许其他多个同等有效的实施例。
图1为根据本公开内容的至少一些实施例的处理腔室的示意侧视图。
图2为根据本公开内容的一个或多个实施例的基板支撑件的示意横截面侧视图。
图3为根据本公开内容的至少一些实施例的基板支撑件的示意横截面侧视图。
图4为根据本公开内容的至少一些实施例的基板支撑件的示意横截面侧视图。
图5为根据本公开内容的至少一些实施例的基板支撑件的示意横截面侧视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造