[发明专利]研磨垫、及研磨加工物的制造方法

说明书

本发明涉及具备研磨层和缓冲层的研磨垫，在干燥状态、频率10rad/s、20～100℃的弯曲模式条件下进行的动态粘弹性测定的40℃时的储能模量E’subgt;B40/subgt;相对在干燥状态、频率10rad/s、20～100℃的压缩模式条件下进行的动态粘弹性测定的40℃时的储能模量E’subgt;C40/subgt;之比E’subgt;B40/subgt;/E’subgt;C40/subgt;为3.0以上15.0以下，在前述弯曲模式条件下进行的动态粘弹性测定中的损耗因子tanδ在40℃以上70℃以下的范围内为0.10以上0.30以下。

技术领域

本发明涉及研磨垫、及研磨加工物的制造方法。

背景技术

对于透镜、平行平面板、及反射镜这样的光学材料、半导体晶圆、半导体装置、以及硬盘用基板等材料，进行使用了研磨垫的研磨加工。其中，在半导体晶圆上形成有氧化物层及/或金属层等的半导体装置的研磨加工中，特别要求平坦性。

迄今为止，出于提高被研磨物的研磨表面的平坦性等目的，开发了各种各样的研磨垫。例如，专利文献1中公开了研磨层的储能模量E’的30℃时的值与90℃时的值之比为约1～3.6的、用于将半导体装置或其前体的表面平坦化的研磨垫。根据专利文献1，公开了这样的研磨垫具有低弹性回复且同时与大多已知的研磨垫相比呈现显著的非弹性。

专利文献2中公开了包含具有至少0.1容量％的气孔率、在40℃及1rad/sec(弧度/秒)条件下具有385～750(1/Pa)的能量损失系数KEL并且在40℃及1rad/sec条件下具有100～400(MPa)的弹性模量E’的聚合物材料的研磨垫。根据专利文献2，公开了这样的研磨垫对将半导体基材平坦化而言是有用的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2004-507076号公报

专利文献2：日本特开2005-136400号公报

发明内容

发明所要解决的课题

平坦性的评价项目中有：被称为凹陷(dishing)的主要起因于宽布线图案中布线断面呈碟状下沉的现象的项目、和被称为侵蚀(erosion)的主要起因于微细布线部中绝缘膜与铜等一同被削去的现象的项目。

上述专利文献1及2中以改善凹陷及侵蚀(以下，也统称为“平坦性”)为目的而规定了研磨层的构成。然而，经过本申请的发明人的研究，探明了在具备缓冲层和研磨层的研磨垫中，即使仅规定了研磨层的构成，根据与缓冲层的组合，有时被研磨物的研磨表面也无法获得充分的平坦性。

本发明是鉴于上述课题而作出的，其目的在于提供能够对被研磨物赋予良好的平坦性的研磨垫及使用了其的研磨加工物的制造方法。

用于解决课题的手段

本申请的发明人为了解决上述课题而进行了认真研究，结果发现了，下述研磨垫及使用了其的研磨加工物的制造方法可解决上述课题，从而完成了本发明，前述研磨垫具备研磨层和缓冲层，且压缩模式的动态粘弹性测定中的储能模量与弯曲模式的动态粘弹性测定中的储能模量之比在规定范围内、且弯曲模式的动态粘弹性测定中的损耗因子tanδ满足规定条件。

即，本发明如下所述。

[1]

研磨垫，其具备研磨层和缓冲层，

在干燥状态、频率10rad/s、20～100℃的弯曲模式条件下进行的动态粘弹性测定的40℃时的储能模量E’_B40相对在干燥状态、频率10rad/s、20～100℃的压缩模式条件下进行的动态粘弹性测定的40℃时的储能模量E’_C40之比E’_B40/E’_C40为3.0以上15.0以下，