[发明专利]线圈部件及其制造方法在审
申请号: | 202180066834.0 | 申请日: | 2021-09-07 |
公开(公告)号: | CN116472593A | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 铃木将典;高桥延也;本桥睿;藤井直明;米山将基;西川朋永 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01F17/00 | 分类号: | H01F17/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;黄浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线圈 部件 及其 制造 方法 | ||
1.一种线圈部件,其特征在于,
具备:
线圈部,具有多个层间绝缘膜和螺旋状地卷绕的多个线圈图案沿轴向交替层叠的结构;以及
磁性元件主体,将所述线圈部埋入,
所述多个线圈图案至少包括:第1线圈图案,位于所述轴向上的一端;以及第2线圈图案,与所述第1线圈图案不同,
所述多个层间绝缘膜包括:第1层间绝缘膜,至少从径向覆盖所述第1线圈图案;以及第2层间绝缘膜,至少从所述径向覆盖所述第2线圈图案,
所述磁性元件主体具有位于所述线圈部的内径区域的第1部分,
位于所述磁性元件主体的所述第1部分和所述第1线圈图案的最内周匝之间的所述第1层间绝缘膜的所述径向上的宽度比位于所述磁性元件主体的所述第1部分和所述第2线圈图案的最内周匝之间的所述第2层间绝缘膜的所述径向上的宽度更宽。
2.根据权利要求1所述的线圈部件,其特征在于,
所述第1层间绝缘膜从所述轴向上的所述一端侧进一步覆盖所述第1线圈图案。
3.根据权利要求1或2所述的线圈部件,其特征在于,
所述第2线圈图案与所述第1线圈图案在所述轴向上邻接。
4.根据权利要求1或2所述的线圈部件,其特征在于,
所述第2线圈图案位于所述轴向上的另一端。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的线圈部件,其特征在于,
所述磁性元件主体进一步具有位于所述线圈部的所述径向上的外侧区域的第2部分,
位于所述磁性元件主体的所述第2部分和所述第1线圈图案的最外周匝之间的所述第1层间绝缘膜的所述径向上的宽度比位于所述磁性元件主体的所述第2部分和所述第2线圈图案的最外周匝之间的所述第2层间绝缘膜的径向上的宽度更宽。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的线圈部件,其特征在于,
位于构成所述第1线圈图案的多个匝中的在所述径向上邻接的2匝之间的所述第1层间绝缘膜的所述径向上的宽度,与位于构成所述第2线圈图案的多个匝中的在所述径向上邻接的2匝之间的所述第2层间绝缘膜的所述径向上的宽度相同。
7.一种线圈部件的制造方法,其特征在于,
具备:
第1工序,通过多个层间绝缘膜和螺旋状地卷绕的多个线圈图案沿轴向交替层叠,形成线圈部;以及
第2工序,通过磁性元件主体将所述线圈部埋入,
所述多个线圈图案至少包括:最后形成的第1线圈图案;以及与所述第1线圈图案不同的第2线圈图案,
所述多个层间绝缘膜包括:第1层间绝缘膜,至少从径向覆盖所述第1线圈图案;以及第2层间绝缘膜,至少从所述径向覆盖所述第2线圈图案,
所述磁性元件主体具有位于所述线圈部的内径区域的第1部分,
位于所述磁性元件主体的所述第1部分和所述第1线圈图案的最内周匝之间的所述第1层间绝缘膜的所述径向上的宽度比位于所述磁性元件主体的所述第1部分和所述第2线圈图案的最内周匝之间的所述第2层间绝缘膜的所述径向上的宽度更宽。
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