[发明专利]用于等离子体蚀刻晶片切单工艺的遮蔽环套件

权利要求书

1.一种蚀刻设备，包括：

腔室；

等离子体源，所述等离子体源在所述腔室内或耦接至所述腔室；

静电卡盘，所述静电卡盘在所述腔室内，所述静电卡盘包括用于支撑基板载体的导电基座，所述基板载体尺寸设计成支撑具有第一直径的晶片；以及

遮蔽环组件，所述遮蔽环组件在所述等离子体源与所述静电卡盘之间，所述遮蔽环组件尺寸设计成处理具有第二直径的晶片，所述第二直径小于所述第一直径。

2.如权利要求1所述的蚀刻设备，其中所述第一直径为约300mm，并且所述第二直径为约200mm。

3.如权利要求1所述的蚀刻设备，其中所述遮蔽环组件包括隔热件、插入环、以及载体。

4.如权利要求3所述的蚀刻设备，其中所述隔热件、所述插入环、以及所述载体包括固体氧化铝。

5.如权利要求3所述的蚀刻设备，其中所述隔热件中包括凹穴，所述凹穴用于容纳所述插入环而不接触所述插入环。

6.如权利要求1所述的蚀刻设备，其中所述导电基座具有穿过其中的多个孔洞，并且所述蚀刻设备进一步包括：

多个升降杆，所述多个升降杆与所述多个孔洞中的各者相对应，所述多个升降杆经布置用于接触在所述晶片下方的所述基板载体。

7.如权利要求1所述的蚀刻设备，其中所述导电基座具有在所述导电基座的圆周边缘处的多个凹口，并且所述蚀刻设备进一步包括：

多个升降杆，所述多个升降杆与所述多个凹口中的各者相对应，所述多个升降杆经布置用于接触所述基板载体的框架。

8.一种切割包括多个集成电路的半导体晶片的方法，所述方法包括以下步骤：

在所述半导体晶片上方形成掩模，所述掩模包括覆盖并保护所述集成电路的层，并且所述半导体晶片由基板载体支撑，所述基板载体尺寸设计成支撑具有第一直径的晶片；

用激光划线工艺图案化所述掩模，以提供具有缝隙的图案化掩模，所述缝隙暴露所述集成电路之间的所述半导体晶片的区域；以及

穿过所述图案化掩模中的所述缝隙蚀刻所述半导体晶片，以在所述半导体晶片由所述基板载体支撑且在所述基板载体由遮蔽环组件部分地覆盖的同时切单所述集成电路，所述遮蔽环组件尺寸设计成处理具有第二直径的所述半导体晶片，所述第二直径小于所述第一直径。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述遮蔽环组件包括隔热件、插入环、以及载体，其中所述隔热件中包括凹穴，所述凹穴用于容纳所述插入环而不接触所述插入环，以避免蚀刻期间的热接触。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述第一直径为约300mm，并且所述第二直径为约200mm。

11.一种切割包括多个集成电路的半导体晶片的系统，所述系统包括：

工厂接口；

激光划线设备，所述激光划线设备与所述工厂接口耦接并包括激光器；以及

蚀刻设备，所述蚀刻设备与所述工厂接口耦接，所述蚀刻设备包括腔室、在所述腔室内或耦接至所述腔室的等离子体源、在所述腔室内的静电卡盘、以及在所述等离子体源与所述静电卡盘之间的遮蔽环组件，所述静电卡盘包括导电基座以支撑基板载体，所述基板载体尺寸设计成支撑具有第一直径的晶片，所述遮蔽环组件尺寸设计成处理具有第二直径的晶片，所述第二直径小于所述第一直径。

12.如权利要求11所述的系统，其中所述第一直径为约300mm，并且所述第二直径为约200mm。

13.如权利要求11所述的系统，其中所述蚀刻设备的所述遮蔽环组件包括隔热件、插入环、以及载体。

14.如权利要求13所述的系统，其中所述隔热件、所述插入环、以及所述载体包括固体氧化铝。