[发明专利]发光性粒子及其制造方法、发光性粒子分散体、光转换膜、层叠体、光转换层、滤色器以及发光元件

权利要求书

1.一种发光性粒子的制造方法，该发光性粒子在由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子的表面具备含Si的表面层，该制造方法具备下述工序：

从包含所述半导体纳米晶体粒子的原料化合物、具有能够与所述半导体纳米晶体粒子的表面键结的键结性基和水解性甲硅烷基的硅烷化合物A、以及溶剂的溶液，形成所述半导体纳米晶体粒子及位于其表面的聚硅氧烷键，从而获得在所述半导体纳米晶体粒子的表面具备包含所述硅烷化合物A的聚合物的层的前驱物粒子的工序；

将所述前驱物粒子、具备含有碱性基的第一结构单元和不含碱性基且为亲溶剂性的第二结构单元的聚合物B、以及溶剂进行混合，获得混合物的工序；以及

将具有水解性甲硅烷基的硅烷化合物C添加至所述混合物中，形成聚硅氧烷键，从而获得在所述前驱物粒子的表面具备包含所述聚合物B及所述硅烷化合物C的聚合物的层的发光性粒子的工序。

2.根据权利要求1所述的发光性粒子的制造方法，其中，所述硅烷化合物A为下述式(A1)所表示的化合物，

式中，R^A1、R^A2及R^A3分别独立地表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，R^A4表示具有所述键结性基的1价基。

3.根据权利要求1或2所述的发光性粒子的制造方法，其中，所述键结性基为选自由羧基、巯基及氨基组成的组中的至少1种。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光性粒子的制造方法，其中，所述硅烷化合物C为下述式(C1)所表示的化合物，

式中，R^C1及R^C2分别独立地表示烷基，R^C3及R^C4分别独立地表示氢原子或烷基，n表示0或1，m表示1以上的整数。

5.一种发光性粒子，通过权利要求1～4中任一项所述的制造方法而获得。

6.一种发光性粒子分散体，其含有权利要求5所述的发光性粒子及分散介质。

7.根据权利要求6所述的发光性粒子分散体，其中，所述分散介质为溶剂或光聚合性化合物。

8.根据权利要求6或7所述的发光性粒子分散体，其至少含有光聚合性化合物作为所述分散介质，且进一步含有光聚合引发剂。

9.一种光转换膜，其包含权利要求8所述的发光性粒子分散体的聚合物。

10.一种层叠结构体，其具备权利要求9所述的光转换膜。

11.一种发光元件，其具备权利要求10所述的层叠结构体。

12.一种光转换层，其具备多个像素部及设置于该多个像素部间的遮光部，

所述多个像素部具有：包含权利要求8所述的发光性粒子分散体的固化物的发光性像素部。

13.一种滤色器，其具备权利要求12所述的光转换层。

14.一种发光元件，其具备权利要求13所述的滤色器。