[发明专利]发光性粒子及其制造方法、发光性粒子分散体、光转换膜、层叠体、光转换层、滤色器以及发光元件

说明书

本发明提供一种发光性粒子的制造方法，该发光性粒子的分散性及稳定性优异且使用了由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子。一种发光性粒子的制造方法，该发光性粒子在由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子的表面具备含Si的表面层，该制造方法具备下述工序：从包含半导体纳米晶体粒子的原料、具有键结性基和水解性甲硅烷基的硅烷化合物A、以及溶剂的溶液形成半导体纳米晶体粒子及聚硅氧烷键，从而获得前驱物粒子的工序；将前驱物粒子、具备含有碱性基的结构单元及亲溶剂性结构单元的聚合物B、以及溶剂进行混合而获得混合物的工序；以及将具有水解性甲硅烷基的硅烷化合物C添加至混合物中，获得在前驱物粒子的表面具备包含聚合物B及硅烷化合物C的聚合物的层的发光性粒子的工序。

技术领域

本发明涉及一种发光性粒子及其制造方法、发光性粒子分散体、光转换膜、层叠体、光转换层、滤色器以及发光元件。

背景技术

近年来，发现一种由金属卤化物构成且具有钙钛矿型晶体结构的半导体纳米晶体，其备受关注(例如参照专利文献1)。钙钛矿型半导体纳米晶体例如由CsPbX₃(X表示Cl、Br或I)所表示的化合物构成。钙钛矿型半导体纳米晶体除可调整其粒子尺寸以外，还可通过调整卤素原子的存在比例来控制发光波长。由于该调整操作简单易行，因此与核壳型等的半导体纳米晶体相比，钙钛矿型半导体纳米晶体更容易控制发光波长，因此具有生产性较高的特征。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-222851号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子有时以分散于分散介质中的状态(例如以油墨组合物的形式)使用。因此，该半导体纳米晶体粒子较理想为良好地分散于分散介质中。此外，该半导体纳米晶体粒子容易因热、水等极性溶剂等而不稳定化，有导致半导体纳米晶体粒子的量子产率降低的可能。因此，要求提高使用了由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子的发光性粒子的稳定性。

因此，本发明的目的在于提供一种分散性及稳定性优异且使用了由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子的发光性粒子及其制造方法、包含该发光性粒子的发光性粒子分散体、光转换膜、层叠结构体、光转换层、滤色器以及发光元件。

解决课题的技术手段

本发明的发光性粒子的制造方法是在由金属卤化物构成的半导体纳米晶体粒子的表面具备含Si的表面层的发光性粒子的制造方法，其特征在于，具备下述工序：从包含半导体纳米晶体粒子的原料化合物、具有能够与半导体纳米晶体粒子表面键结的键结性基和水解性甲硅烷基的硅烷化合物A、以及溶剂的溶液，形成半导体纳米晶体粒子及位于其表面的聚硅氧烷键，从而获得在半导体纳米晶体粒子的表面具备包含硅烷化合物A的聚合物的层的前驱物粒子的工序；将前驱物粒子、具备含有碱性基的第一结构单元及不含碱性基且为亲溶剂性的第二结构单元的聚合物B、以及溶剂进行混合而获得混合物的工序；以及将具有水解性甲硅烷基的硅烷化合物C添加至混合物中，形成聚硅氧烷键，从而获得在前驱物粒子表面具备包含聚合物B及硅烷化合物C的聚合物的层的发光性粒子的工序。

硅烷化合物A优选为下述式(A1)所表示的化合物。

式中，R^A1、R^A2及R^A3分别独立地表示氢原子或碳原子数为1～6的烷基，R^A4表示具有键结性基的1价基。

键结性基优选为选自由羧基、巯基及氨基组成的组中的至少1种。

硅烷化合物C优选为下述式(C1)所表示的化合物。