[发明专利]半导体发光装置及半导体发光模块在审
申请号: | 202180069609.2 | 申请日: | 2021-10-11 |
公开(公告)号: | CN116349020A | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 河野圭真;市川幸治;神原大蔵;堀尾直史 | 申请(专利权)人: | 斯坦雷电气株式会社 |
主分类号: | H01L33/60 | 分类号: | H01L33/60 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 朱丽娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 装置 模块 | ||
1.一种半导体发光装置,其特征在于,具备:
发光元件组件,其具有:半导体发光元件,具有支承基板和设置在所述支承基板上的发光半导体层;导光部件,利用元件粘接层被粘接于所述半导体发光元件,和,
第一覆膜,其利用侧壁粘接层被粘接于所述发光元件组件的侧面,并由作为包覆所述侧面的光反射体的无机材料构成。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述第一覆膜为氧化铝板。
3.根据权利要求2所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述第一覆膜为具有白色陶瓷的陶瓷粘结体或硅酸盐系粘结体。
4.根据权利要求3所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述白色陶瓷包含氧化铝、氧化锆、氧化镁中的任一种。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述侧壁粘接层为透光性树脂或白色树脂。
6.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述第一覆膜为电介质多层膜。
7.根据权利要求6所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述侧壁粘接层为透光性树脂。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体发光装置,其特征在于,
具有与所述第一覆膜的外侧接触且由遮光性的无机材料构成的第二覆膜。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述半导体发光元件是粘贴在所述支承基板上的薄膜发光半导体层。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体发光装置,其特征在于,
以俯视观察时,所述导光部件形成为具有下述大小和配置:该导光部件的底面包含所述半导体发光元件的发光层。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述支承基板具有面积从上表面朝向底面变小的方式倾斜的锥状的侧面。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述导光部件以及所述支承基板相对与所述半导体层垂直的中心轴对齐配置,所述支承基板比所述导光部件小。
13.根据权利要求1至8以及权利要求10至12中任一项所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述半导体发光元件具有生长基板,所述生长基板通过粘接层粘接于所述导光部件。
14.一种半导体发光模块,其特征在于,
该半导体发光模块是将多个权利要求1至13中任一项所述的半导体发光装置以隔开间隙的方式并排设置而成,所述半导体发光装置间的所述间隙为空间。
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