[发明专利]用于传感器设备或者麦克风设备的微机械构件的制造方法

权利要求书

1.一种用于微机械构件的制造方法，所述微机械构件用于传感器设备或者麦克风设备，所述制造方法具有以下步骤：

在衬底(12)的衬底表面(12a)上由第一牺牲材料形成支撑结构(10)，其中，所述支撑结构(10)形成为具有由所述第一牺牲材料构成的第一牺牲材料层(14)和多个由所述第一牺牲材料构成的支撑柱(18)，所述第一牺牲材料层至少部分地覆盖所述衬底表面(12)，所述第一牺牲材料层具有多个通过所述第一牺牲材料层(14)结构化的蚀刻孔(16)，所述支撑柱伸入到所述衬底(12)中；

借助蚀刻介质将由所述支撑结构(10)跨越的至少一个空腔(22)蚀刻到所述衬底表面(12a)中，所述蚀刻介质通过所述第一牺牲材料层(14)中的多个蚀刻孔(16)来引导，所述第一牺牲材料与所述衬底(12)相比对所述蚀刻介质具有更高的耐蚀刻性；

由至少一个半导体材料在所述支撑结构(10)的第一牺牲材料层(14)上或所述支撑结构(10)的第一牺牲材料层(14)上方形成膜片(30)；

将层堆叠(34)沉积在所述膜片(30)的远离所述衬底(12)地指向的侧上，所述层堆叠(34)包括至少一个牺牲层(36a，36b)和在所述至少一个牺牲层(36a，36b)的远离所述衬底(12)地指向的侧上形成的至少一个对电极(38)；

通过至少部分地移除至少所述支撑结构(10)和所述至少一个牺牲层(36a，36b)，释放所述膜片(30)。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，为了在所述衬底(12)的所述衬底表面(12a)上由所述第一牺牲材料形成所述支撑结构(10)，实施以下步骤：

将多个沟槽(20)结构化到所述衬底(12)的衬底表面(12a)中；

将所述第一牺牲材料这样沉积在衬底表面(12a)上，所述衬底表面具有结构化到所述衬底表面中的多个沟槽(20)，使得由填充到所述多个沟槽(20)中的第一牺牲材料形成多个伸入到所述衬底(12)中的支撑柱(18)，所述衬底表面(12a)至少部分地被由所述第一牺牲材料构成的后来的第一牺牲材料层(14)覆盖。

通过所述第一牺牲材料层(14)结构化所述多个蚀刻孔(16)；

通过所述第一牺牲材料层(14)中的多个蚀刻孔(16)，将所述空腔(22)蚀刻到所述衬底表面(12a)中。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，在形成所述膜片(30)之前，所述第一牺牲材料层(14)至少部分地被第二牺牲材料层(24)覆盖，所述第二牺牲材料层由所述第一牺牲材料和/或第二牺牲材料构成，其中，在形成所述膜片(30)时，所述第二牺牲材料层(24)至少部分地被所述膜片(30)覆盖。

4.根据上述权利要求中任一项所述的制造方法，其中，所述支撑结构(10)由氧化硅作为第一牺牲材料形成。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，在形成所述膜片(30)之前，富硅的氮化硅、氮化硅、碳化硅和/或氧化铝局部地沉积在由氧化硅构成的第一牺牲材料层(14)上、沉积在由氧化硅构成的第二牺牲材料层(24)上、和/或沉积在至少一个开口中，所述至少一个开口通过由氧化硅构成的第一牺牲材料层(14)和/或由氧化硅构成的第二牺牲材料层(24)结构化。

6.根据上述权利要求中任一项所述的制造方法，其中，为了释放所述膜片(30)，形成延伸穿过所述层堆叠(34)的至少一个第一蚀刻介质进口(56a)、仅延伸穿过所述层堆叠(34)的一部分的至少一个第二蚀刻介质进口(56b)和/或延伸穿过所述衬底(12)的通道(56c)，并且借助至少一个蚀刻介质至少部分地移除至少所述支撑结构(10)和所述至少一个牺牲层(36a，36b)，所述蚀刻介质通过所述至少一个第一蚀刻介质进口(56a)和/或通过所述至少一个第二蚀刻介质进口(56b)和/或通过至少一个通道(56c)引导。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的制造方法，其中，为了给所述膜片(30)供应压力，形成延伸穿过所述衬底(12)到自由空间(57)中的至少一个通道(56c)。