[发明专利]用于传感器设备或者麦克风设备的微机械构件的制造方法在审

专利信息
申请号: 202180070565.5 申请日: 2021-09-30
公开(公告)号: CN116438136A 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: U·席勒;P·施莫尔林格鲁贝尔;T·弗里德里希;H·韦伯;A·朔伊尔勒;H·阿尔特曼 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 郭毅
地址: 德国斯*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 传感器 设备 或者 麦克风 微机 构件 制造 方法
【说明书】:

发明涉及一种用于传感器设备或者麦克风设备的微机械构件的制造方法,具有以下步骤:在衬底(12)的衬底表面(12a)上由第一牺牲材料形成支撑结构(10),支撑结构具有第一牺牲材料层(14)、多个通过第一牺牲材料层(14)结构化的蚀刻孔(16)和多个伸入到衬底(12)中的支撑柱(18),将由支撑结构(10)跨越的至少一个空腔(22)蚀刻到衬底表面(12a)中,由至少一个半导体材料在支撑结构(10)的第一牺牲材料层(14)上或上方形成膜片(30),将层堆叠(34)沉积,层堆叠(34)包括至少一个牺牲层(36a,36b)和至少一个对电极(38),通过至少部分地移除至少支撑结构(10)和至少一个牺牲层(36a,36b),释放膜片(30)。

技术领域

本发明涉及一种用于传感器设备或者麦克风设备的微机械构件的制造方法。另外,本发明涉及一种用于传感器设备或者麦克风设备的微机械构件。

背景技术

由现有技术、例如DE 10 2012 217 979 A1已知,由至少一个半导体材料构成的膜片用作传感器的或者麦克风的压敏元件,其中,该膜片本身或者附接在该膜片上的电极与位置固定的对电极(Gegenelektrode)共同作用。通常,在这种情况下,膜片的远离该对电极地指向的侧的至少一个部分面是暴露的。

发明内容

本发明实现一种具有权利要求1的特征的用于传感器设备或者麦克风设备的微机械构件的制造方法和一种具有权利要求8的特征的用于传感器设备或者麦克风设备的微机械构件。

本发明的优点

本发明实现一种微机械构件,所述微机械构件分别具有能够用作压敏元件或者声波敏感元件的膜片,该膜片与现有技术相比更好地受到保护以防对膜片的机械损伤或者污染。由于在借助本发明实现的微机械构件中,膜片在该膜片的远离共同作用的至少一个对电极地指向的侧上跨越蚀刻到衬底表面中的至少一个自由空间,因此,具有衬底表面的衬底有助于可靠地保护膜片以防机械损伤。同时能够通过简单的方式保证,从能够确定的尺寸起的颗粒以高概率不能够侵入到蚀刻到衬底表面中的空腔中,由此有利地保证微机械构件的膜片的、对于微机械构件/或构造为具有该微机械构件的传感器设备或者麦克风设备的正确功能而言必需的膜片偏转。因此,本发明实现一种微机械构件/或构造为具有该微机械构件的传感器设备或者麦克风设备,其相应的膜片可以更可靠地用于压力测量或者用于声波-电子信号转换。同样地,借助本发明实现的微机械构件具有相对于现有技术增加的使用寿命。

在该制造方法的一种有利实施方式中,为了在衬底的衬底表面上由第一牺牲材料形成支撑结构,实施以下步骤:将多个沟槽结构化到衬底的衬底表面中,将第一牺牲材料这样沉积在具有结构化到该衬底表面中的多个沟槽的衬底表面上,使得由填充到多个沟槽中的第一牺牲材料形成多个伸入到衬底中的支撑柱(Stützpfosten),该衬底表面至少部分地被由第一牺牲材料构成的后来的第一牺牲材料层覆盖,通过第一牺牲材料层将多个蚀刻孔结构化,并且通过第一牺牲材料层中的多个蚀刻孔,将空腔蚀刻到衬底表面中。

在此描述的方法步骤能够容易借助半导体技术的标准工艺来实施。借助在此描述的方法步骤形成的支撑结构可靠地适用于实现蚀刻到衬底表面中且被膜片跨越的至少一个空腔,尤其是实现被膜片跨越的、具有大于或等于5μm的垂直于衬底表面定向的延伸尺度的空腔。

优选地,在形成膜片之前,第一牺牲材料层至少部分地被第二牺牲材料层覆盖,第二牺牲材料层由第一牺牲材料和/或第二牺牲材料构成,并且其中,在形成膜片时,第二牺牲材料层至少部分地被膜片覆盖。通过这种方式,可以借助第二牺牲材料层覆盖结构化到第一牺牲材料层中的蚀刻孔,使得不必担心在形成膜片时膜片材料侵入到蚀刻孔中。

在一种有利实施方式中,支撑结构由氧化硅作为第一牺牲材料形成。因此,氧化硅作为已经常常在半导体技术中使用的材料也可以用于形成支撑结构和/或第二牺牲材料层。这有助于促进上述方法步骤和后来待执行的牺牲层蚀刻工艺的实施。

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