[发明专利]凸块形成装置、凸块形成方法以及凸块形成程序在审
申请号: | 202180075021.8 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN116508139A | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 田中清贵 | 申请(专利权)人: | 株式会社新川 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 金兰;臧建明 |
地址: | 日本东京武藏村*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 装置 方法 以及 程序 | ||
1.一种凸块形成装置,包括:
接合工具,将引线接合至作为接合对象的接合点;以及
接合控制部,控制所述接合工具,以在所述接合点上形成凸块,
所述接合控制部构成为执行:
压接工序,将从所述接合工具的前端部延伸出的引线的前端所形成的球部通过所述接合工具的前端部而压接至所述接合点;
放出工序,一边从被压接至所述接合点的所述球部放出引线,一边使所述接合工具移动;
按压工序,通过所述接合工具的前端部来按压被压接至所述接合点的所述球部的一部分,使被压接至所述接合点的所述球部发生变形;以及
切断工序,切断所述引线而在所述接合点上形成所述凸块,
基于与所述引线相关的第一参数、及与所述接合工具的形状相关的第二参数,来决定所述接合工具的轨迹中的至少所述放出工序中的轨迹。
2.根据权利要求1所述的凸块形成装置,其中
所述接合控制部获取通过输入装置而输入的所述第一参数及所述第二参数,并运算所述接合工具的轨迹。
3.根据权利要求2所述的凸块形成装置,其中
所述第一参数包含所述球部受到压接之前的直径、以及被压接至所述接合点的所述球部中的形成于所述接合工具与所述接合点之间的压接下部的直径及厚度,
所述第二参数包含所述接合工具的供所述引线插通的孔的孔径、以及设在比所述接合工具的所述孔更靠前端侧的斜切面的斜切面直径及斜切角,
所述接合控制部运算被压接至所述接合点的所述球部中的、形成于所述接合工具的内侧的压接上部的体积。
4.根据权利要求3所述的凸块形成装置,其中
所述接合工具的轨迹包含远离所述接合点的上升路径,
所述接合控制部基于所述压接上部的体积来运算所述上升路径的距离。
5.根据权利要求4所述的凸块形成装置,其中
所述接合工具的轨迹还包含沿与所述上升路径交叉的方向移动的滑行路径,
所述第一参数包含所述引线的直径及材质,
所述接合控制部基于所述斜切面直径以及所述引线的直径及材质,来运算所述滑行路径的距离。
6.根据权利要求5所述的凸块形成装置,其中
所述接合工具的轨迹还包含接近所述接合点的下降路径,
所述接合控制部基于所述上升路径的距离及所述引线的材质,来运算所述下降路径的距离。
7.一种凸块形成方法,包括:
压接工序,将从接合工具的前端部延伸出的引线的前端所形成的球部通过所述接合工具的前端部而压接至接合点;
放出工序,一边从被压接至所述接合点的所述球部放出所述引线,一边使所述接合工具移动;
按压工序,通过所述接合工具的前端部来按压被压接至所述接合点的所述球部的一部分,使被压接至所述接合点的所述球部发生变形;以及
切断工序,切断所述引线而在所述接合点上形成凸块,
基于与所述引线相关的第一参数、及与所述接合工具的形状相关的第二参数,来决定所述接合工具的轨迹中的至少所述放出工序中的轨迹。
8.根据权利要求7所述的凸块形成方法,其中
所述凸块形成于通过引线接合而电性连接的第一接合点与第二接合点中的所述第一接合点处,
所述凸块中的靠近所述第二接合点侧的厚度大于远离所述第二接合点侧的厚度。
9.一种凸块形成程序,使计算机执行:
压接处理,将从接合工具的前端部延伸出的引线的前端所形成的球部通过所述接合工具的前端部而压接至接合点;
放出处理,一边从被压接至所述接合点的所述球部放出引线,一边使所述接合工具移动;
按压处理,通过所述接合工具的前端部来按压被压接至所述接合点的所述球部的一部分,使被压接至所述接合点的所述球部发生变形;以及
切断处理,切断所述引线而在所述接合点上形成凸块,
基于与所述引线相关的第一参数、及与所述接合工具的形状相关的第二参数,来决定所述接合工具的轨迹中的至少所述放出处理中的轨迹。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造