[发明专利]混合非易失性存储器单元

权利要求书

1.一种非易失性存储器结构，包括：

第一存储器元件(110)；

第二存储器元件(130)；

顶部接触(140)，其中所述顶部接触与所述第一存储器元件的顶部表面的至少一部分接触，并且其中所述顶部接触与所述第二存储器元件的顶部表面的至少一部分接触；以及

底部接触(100)，其中所述底部接触与所述第一存储器元件的底部表面的至少一部分接触，且其中所述底部接触与所述第二存储器元件的底部表面的至少一部分接触。

2.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一存储器元件(110)和所述第二存储器元件(130)包括用于设置和重置操作的不同电导变化。

3.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一存储器元件(110)和所述第二存储器元件(130)包括不同类型的忆阻存储器。

4.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一存储器元件(110)包括相变存储器，且其中所述第二存储器元件(130)包括电阻式随机存取存储器。

5.根据权利要求1所述的结构，所述非易失性存储器结构的状态包括所述第一存储器元件和所述第二存储器元件的所述状态的组合。

6.一种非易失性存储器结构，包括：

所述非易失性存储器结构的第一端子；

所述非易失性存储器结构的第二端子；以及

第一存储元件和第二存储元件，其并联地位于所述第一端子与所述第二端子之间。

7.根据权利要求6所述的结构，其中所述第一存储器元件及所述第二存储器元件包括用于设置及复位操作的不同电导改变。

8.根据权利要求6所述的结构，其中所述第一存储器元件和所述第二存储器元件包括不同类型的忆阻存储器。

9.根据权利要求6所述的结构，其中所述第一存储器元件包括相变存储器，且其中所述第二存储器元件包括电阻式随机存取存储器。

10.根据权利要求6所述的结构，所述非易失性存储器结构的状态包括所述第一存储器元件和所述第二存储器元件的所述状态的组合。

11.一种非易失性存储器结构，包括；

与第二存储器元件并联的第一存储器元件，其中所述第一存储器元件包括第一类型的忆阻器，并且其中所述第二存储器元件包括第二类型的忆阻器；以及

所述非易失性存储器结构的状态包括所述第一类型的忆阻器和所述第二类型的忆阻器的状态的组合。

12.根据权利要求11所述的结构，其中所述第一存储器元件及所述第二存储器元件包括用于设置及复位操作的不同电导改变。

13.根据权利要求11所述的结构，其中所述第一存储器元件和所述第二存储器元件包括不同类型的忆阻存储器。

14.根据权利要求11所述的结构，其中所述第一存储器元件包括相变存储器，且其中所述第二存储器元件包括电阻式随机存取存储器。

15.一种非易失性存储器结构，包括：

第一存储器元件(125)，其环绕第二存储器元件(180)；

位于所述第一存储元件和所述第二存储元件之间的隔离物(170)；

与所述第一存储元件的底表面和所述第二存储元件的底表面接触的底部接触(100)；以及

与所述第一存储器元件的顶表面和所述第二存储器元件的顶表面接触的顶部接触(190)。

16.根据权利要求15所述的结构，其中所述第一存储器元件(125)和所述第二存储器元件(180)包括用于设置和复位操作的不同电导变化。