[发明专利]混合非易失性存储器单元

说明书

一种非易失性存储器结构及其制造方法，其可包括在第一端子和第二端子之间的第一存储器元件和第二存储器元件。第一存储元件和第二存储元件可以在第一端子和第二端子之间彼此并联。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。

技术领域

本发明涉及非易失性存储器，更具体地，涉及用于神经形态计算的忆阻器件。

背景技术

“机器学习”用于广泛地描述从数据学习的电子系统的主要功能。在加速的机器学习和认知科学中，人工神经网络(ANN)是由动物的生物神经网络，特别是大脑，所启发的一族统计学习模型。ANN可以用于估计或近似依赖于大量输入并且通常未知的系统和函数。ANN结构、神经形态微芯片和超高密度非易失性存储器可以由被称为交叉式阵列的高密度、低成本电路结构形成。一种基本的交叉杆阵列配置包括一组导电行线和形成为与该组导电行线交叉的一组导电列线。两组导线之间的交叉部分由所谓的交叉点器件分开，交叉点器件可以由薄膜材料形成。交叉点器件可以被实现为所谓的忆阻器件。忆阻器件的特性包括非易失性、存储可变电阻值的能力、以及使用电流或电压脉冲来调高或调低电阻的能力。

发明内容

一种非易失性存储器结构可以包括第一存储器元件、第二存储器元件、顶部接触和底部接触。顶部接触和底部接触可以与每个存储器元件的一部分接触。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。

段落[0003]的实施例的非易失性存储器结构可包含具有用于设置及复位操作的不同电导改变的第一存储器元件及第二存储器元件。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。

段落[0003]的实施例的非易失性存储器结构可以包括作为不同类型的忆阻存储器的第一存储器元件和第二存储器元件。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。

段落[0003]的实施例的非易失性存储器结构可包含作为相变存储器的第一存储器元件及作为电阻式随机存取存储器的第二存储器元件。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。

段落[0003]的实施例的非易失性存储器结构可为第一存储器元件的状态与第二存储器元件的状态的组合。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。

一种非易失性存储器结构可以包括第一存储器元件、在第一端子和第二端子之间的第二存储器元件。第一存储元件和第二存储元件可以在第一端子和第二端子之间彼此并联。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。

段落[0008]的实施例的非易失性存储器结构可包含具有用于设置及复位操作的不同电导改变的第一存储器元件及第二存储器元件。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。

段落[0008]的实施例的非易失性存储器结构可以包括作为不同类型的忆阻存储器的第一存储器元件和第二存储器元件。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。

段落[0008]的实施例的非易失性存储器结构可包含作为相变存储器的第一存储器元件及作为电阻式随机存取存储器的第二存储器元件。这可以使混合非易失性存储器结构能够将值存储为每个存储器元件的电导的组合，从而能够更好地调谐设置和重置电导参数。