[发明专利]量测方法和相关联的设备

说明书

披露了一种量测方法。所述方法包括：测量与对量测信号的周围信号贡献相关的至少一个周围可观察参数，所述周围信号贡献包括不可归因于被测量的至少一个目标的对所述量测信号的贡献；以及根据所述周围信号可观察参数来确定校正。所述校正用于校正与使用测量辐射进行的对一个或更多个目标的测量相关的第一测量数据，所述测量辐射在所述一个或更多个目标中的一个或更多个上形成大于所述目标中的一个目标的测量光斑。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年12月8日递交的美国申请63/122,641的优先权，该美国申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及能够用于例如在通过光刻技术制造器件时执行量测的量测设备和方法。

背景技术

光刻设备是将期望的图案应用到衬底上(通常应用到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下，图案形成装置(图案形成装置替代地称为掩模或掩模版)可以用于产生待形成于IC的单独的层上的电路图案。可以将此图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像到提供于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转移。一般而言，单个衬底将包含经连续地图案化的相邻目标部分的网络。

在光刻过程中，需要频繁地对所产生的结构进行测量，例如以用于过程控制及验证。用于进行这些测量的各种工具是已知的，包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜，以及用于测量重叠(器件中的两个层的对准的准确度)的专用工具。近年来，已经开发出用于光刻领域中的各种形式的散射仪。这些装置将辐射束引导到目标上并且测量散射辐射的一个或更多个特性——例如，依据波长而变化的在单一反射角下的强度；依据反射角而变化的在一种或更多种波长下的强度；或依据反射角而变化的偏振——以获得能够用于确定目标的感兴趣的特性的衍射“光谱”。

已知的散射仪的示例包括US2006033921A1和US2010201963A1中描述的类型的角度分辨散射仪。由此类散射仪使用的目标相对较大，例如40μm×40μm；目标和测量束产生小于光栅的光斑(即，目标被不足地填充)。可以在国际专利申请案US20100328655A1和US2011069292A1中找到暗场成像测量的示例，所述国际专利申请案的文件以全文引用的方式并入本文中。已公布的专利公开案US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A和WO2013178422A1中已经描述了该技术的进一步开发。这些目标可以小于照射光斑(即，目标被过度地填充)，并且可以被晶片上的产品结构包围。可以使用复合光栅目标在一个图像中测量多个光栅。所有这些申请案的内容也以引用的方式并入本文中。

填充过度的测量技术的结果是，可能在测量光斑内捕获其他结构，从而导致串扰(来自量测信号中的相邻结构的贡献)。该结果同样适用于填充过度的重叠/聚焦量测和填充过度的对准。

因而，将期望改善关于填充过度的目标的量测的准确度。

发明内容

在第一方面中，本发明提供一种量测方法，所述方法包括：测量与对量测信号的周围信号贡献相关的至少一个周围可观察参数，所述周围信号贡献包括不可归因于被测量的至少一个目标的对所述量测信号的贡献；根据所述周围信号可观察参数来确定校正；获得与使用测量辐射进行的对一个或更多个目标的测量相关的第一测量数据，所述测量辐射在所述一个或更多个目标中的一个或更多个上形成大于所述目标中的一个目标的测量光斑；以及将所述校正应用于所述第一测量数据。