[发明专利]无缺陷氧化锗缝隙填充

权利要求书

1.一种沉积缝隙填充材料的方法，所述方法包含：将包含至少一个特征的基板表面暴露于锗烷前驱物与第一氧化剂，以在所述至少一个特征内沉积包含氧化锗的缝隙填充材料，所述至少一个特征具有开口宽度且延伸进入所述基板一深度，所述缝隙填充材料基本上不具有空隙或接缝。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述开口宽度在15nm至30nm的范围内。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述深度与所述开口宽度之间的比率在2至10的范围内。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述锗烷前驱物包含锗烷(GeH₄)。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述锗烷前驱物进一步包含氢气(H₂)。

6.如权利要求5所述的方法，其中氢气与锗烷的比率在5至20的范围内。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一氧化剂包含一氧化二氮(N₂O)、氧气(O₂)、臭氧(O₃)、或水(H₂O)中的一者或多者。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一氧化剂与所述锗烷前驱物的比率在10至50的范围内。

9.如权利要求1所述的方法，其中在不使用等离子体的情况下执行所述方法。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述方法在100托至500托的范围内的压力下执行。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述基板被维持在400℃至600℃的范围内的温度。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述缝隙填充材料包含在0.5至1的范围内的锗与氧的原子比率。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述基板表面持续地暴露于所述第一氧化剂并且间歇地暴露于所述锗烷前驱物。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述锗烷前驱物具有小于或等于33％的占空比。

15.如权利要求13所述的方法，进一步包含当不流动所述锗烷前驱物时，将所述基板表面暴露于第二氧化剂。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述第一氧化剂基本上由N₂O组成并且所述第二氧化剂基本上由O₂组成。

17.如权利要求15所述的方法，其中所述缝隙填充材料包含在0.2至0.5的范围内的锗与氧的原子比率。

18.一种沉积缝隙填充材料的方法，所述方法包含：将包含至少一个特征的基板表面暴露于第一氧化剂的持续流动以及锗烷前驱物与第二氧化剂的交替流动，以在所述至少一个特征内沉积包含氧化锗的缝隙填充材料，所述至少一个特征具有开口宽度并且延伸进入所述基板一深度，所述锗烷前驱物与所述第二氧化剂各自具有小于或等于25％的占空比，所述缝隙填充材料基本上不具有空隙或接缝。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述第一氧化剂基本上由N₂O组成并且所述第二氧化剂基本上由O₂组成。

20.一种选择性移除氧化锗的方法，包含：将氧化锗层暴露于碱性水溶液。