[发明专利]无缺陷氧化锗缝隙填充

说明书

公开了用于形成包括氧化锗的无缺陷缝隙填充材料的方法。在一些实施例中，通过将基板表面同时暴露于锗烷前驱物与氧化剂来沉积缝隙填充材料。锗烷前驱物可间歇地流动。基板还可暴露于第二氧化剂以增加缝隙填充材料内氧的相对浓度。

技术领域

本公开的实施例总体涉及形成氧化锗材料的方法。具体地，本公开的实施例涉及形成无缺陷氧化锗缝隙填充的方法。

背景技术

氧化锗在半导体制造中是越来越重要的材料。锗是14族元素，类似于硅，并且因此含锗材料通常具有与其硅基类似物类似的性质。鉴于在半导体制造中的氧化硅的普及，在各种处理方案中存在对于氧化锗、其性质以及形成氧化锗材料的方法的增加关注。

一种关注方案是以缝隙填充材料来填充基板特征(例如，通孔、沟槽、等等)。不幸地，典型缝隙填充方法通常造成含有包括接缝与空隙的缺陷的缝隙填充材料。缺陷会导致在下游处理期间的多种问题。问题通常通过蚀刻工艺最清楚地证实，蚀刻工艺相较于周围的缝隙填充不同地影响缺陷。随着时间推移，这些缺陷也会导致含有缝隙填充的图案/装置的劣化。

因此，存在对于不在沉积的材料内产生接缝、空隙或其他缺陷的沉积缝隙填充的新颖方法的需求。

发明内容

本公开的一个或多个实施例涉及沉积缝隙填充材料的方法。方法包含将包含至少一个特征的基板表面暴露于锗烷前驱物与第一氧化物，以在所述至少一个特征内沉积包含氧化锗的缝隙填充材料。所述至少一个特征具有开口宽度并且延伸进入基板一深度。缝隙填充材料基本上不具有空隙或接缝。

本公开的额外实施例涉及沉积缝隙填充材料的方法。方法包含将包含至少一个特征的基板表面暴露于第一氧化剂的持续流动以及锗烷前驱物与第二氧化剂的交替流动，以在所述至少一个特征内沉积包含氧化锗的缝隙填充材料。所述至少一个特征具有开口宽度并且延伸进入基板一深度。锗烷前驱物与第二氧化剂各自具有小于或等于25％的占空比。缝隙填充材料基本上不具有空隙或接缝。

本公开的进一步实施例涉及选择性移除氧化锗的方法。方法包含将氧化锗层暴露于碱性水溶液。

附图说明

为了能够详细地理解本公开的上述特征的方式，以上简要概括的本公开的更具体的描述可以通过参考实施例来获得，所述实施例中的一些在附图中示出。然而，将注意到附图仅示出本公开的典型实施例，并且因而不应被视为限制本公开的范围，因为本公开可容许其他等效实施例。

图1示出根据本公开的一个或多个实施例的在处理之前的具有特征的示例性基板；

图2示出根据本公开的一个或多个实施例的在处理以形成缝隙填充材料之后的示例性基板；以及

图3示出根据本公开的一个或多个实施例的在处理以形成超保形膜之后的示例性基板。

具体实施方式

在说明本公开的若干示例性实施例之前，将理解，本公开并不局限于在以下说明书中所说明的架构或处理步骤的细节。本公开能够有其他实施例并且能够以各种方式实践或执行。

在本说明书与所附权利要求书中使用时，术语“基板”指工艺作用于其上的表面或表面的一部分。本领域技术人员也将理解，提及基板也可仅指基板的一部分，除非上下文清楚地指出并非如此。此外，提及在基板上的沉积可意指裸基板和具有沉积或形成在其上的一个或多个膜或特征的基板这两者。