[发明专利]垂直场效应晶体管顶部源极-漏极的缠绕接触体

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：

在半导体结构中形成第一凹陷区域，所述第一凹陷区域限定具有第一正锥形轮廓的第一开口，作为所述第一正锥形轮廓的至少一部分，以第一锥角在朝向所述半导体结构的顶部源极/漏极区的方向上加宽所述第一开口；以及

在所述第一开口内形成顶部源极/漏极接触体，所述顶部源极/漏极接触体围绕所述顶部源极/漏极区的表面。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述顶部源极/漏极区的底部部分、与所述顶部源极/漏极区域相邻的顶部间隔体和两个连续的顶部源极/漏极区之间的第二电介质材料之间的界面处形成与所述顶部源极/漏极区的所述底部部分直接接触的保护衬垫。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成包括具有第一负锥形轮廓的第二开口的第二凹陷区域，所述第一负锥形轮廓包括在朝向所述半导体结构的底部源极/漏极区的方向上变窄的第二锥角；以及在第二凹陷区域内形成底部源极/漏极接触体。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成第三凹陷区域，所述第三凹陷区域包括具有第二负锥形轮廓的第三开口，所述第二负锥形轮廓包括在朝向高k金属栅极堆叠体的方向上变窄的第三锥形角；以及

在所述第三凹陷区域内形成栅极接触体。

5.根据权利要求2所述的方法，其中形成与所述顶部源极/漏极区域的所述底部部分直接接触的所述保护衬垫进一步包括：

使第一层间电介质层凹陷以暴露所述顶部源极/漏极区域的顶部部分和与所述顶部源极/漏极区相邻的所述顶部间隔体的顶部部分；

选择性地去除所述顶部间隔体的暴露的顶部部分；以及

在所述顶部源极/漏极区上方共形地沉积所述保护衬垫并使其与所述顶部源极/漏极区直接接触。

6.根据权利要求5所述的方法，其中使用高选择性毯式原子层蚀刻来执行使所述第一层间电介质层凹陷。

7.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述保护衬垫上方沉积牺牲材料；

在所述牺牲材料上沉积有机平坦化层；以及

使所述有机平坦化层、所述牺牲材料、所述保护衬垫和第一层间电介质层的顶部部分凹陷，其中所述凹陷产生具有不同锥形轮廓的多个凹部以用于接触体形成。

8.根据权利要求2所述的方法，其中所述保护衬垫包括氮化钛。

9.一种半导体结构，包括：

第一区域，包括第一正锥形轮廓，所述第一正锥形轮廓包括在朝向所述半导体结构的顶部源极/漏极区的方向上变宽的第一锥角；以及

在所述第一区内的顶部源极/漏极接触体，所述顶部源极/漏极接触体围绕所述顶部源极/漏极区的表面。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，还包括：

保护衬垫，所述保护衬垫在所述顶部源极/漏极区的底部部分、与所述顶部源极/漏极区相邻的顶部间隔体和位于两个连续的顶部源极/漏极区之间的第二电介质材料之间的界面处与所述顶部源极/漏极区的所述底部部分直接接触。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，还包括：

第二区域，包括第一负锥形轮廓，所述第一负锥形轮廓包括在朝向所述半导体结构的底部源极/漏极区的方向上变窄的第二锥角；以及

在所述第二区域内的底部源极/漏极接触体。

12.根据权利要求9所述的半导体结构，还包括：

第三区域，包括第二负锥形轮廓，所述第二负锥形轮廓包括在朝向高k金属栅极堆叠体的方向上变窄的第三锥角；以及

在所述第三区域内的栅极接触体。

13.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述保护衬垫包括氮化钛。