[发明专利]用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒

权利要求书

1.一种用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒，其在颗粒内部具有孔隙部，

配混有聚酰亚胺80重量份和该中空树脂颗粒20重量份的薄膜(F1)的相对介电常数Dk1相对于仅由该聚酰亚胺形成的薄膜(F0)的相对介电常数Dk0的减少率为3％以上。

2.根据权利要求1所述的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒，其中，所述薄膜(F1)的介质损耗角正切Df1相对于所述薄膜(F0)的介质损耗角正切Df0的减少率为3％以上。

3.根据权利要求1或2所述的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒，其中，所述中空树脂颗粒的体积平均粒径为0.5μm～100μm。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒，其中，所述中空树脂颗粒含有聚合物(P)，所述聚合物(P)包含选自由源自乙烯基系单体的结构单元(I)和源自磷酸酯系单体的结构单元(II)组成的组中的至少1种。

5.根据权利要求4所述的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒，其中，所述源自磷酸酯系单体的结构单元(II)具有乙烯系不饱和基团。

6.根据权利要求4或5所述的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒，其中，所述磷酸酯系单体用通式(1)表示，

通式(1)中，R¹为(甲基)丙烯酰基或烯丙基，R²为直链状或支链状的亚烷基，m为1～30的整数，n为0或1，v为1～10的整数，x为1或2。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒，其比表面积为1m²/g～30m²/g。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒，其松密度为0.01g/cm³～0.6g/cm³。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒，其中，所述颗粒内部的孔隙部的结构为多孔结构。

10.根据权利要求1～8中任一项所述的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒，其中，所述颗粒内部的孔隙部的结构为单中空结构。

11.一种半导体构件，其包含权利要求1～10中任一项所述的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒。