[发明专利]用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒在审
申请号: | 202180084010.6 | 申请日: | 2021-12-03 |
公开(公告)号: | CN116615471A | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 原田良祐;冈本光一朗 | 申请(专利权)人: | 积水化成品工业株式会社 |
主分类号: | C08F30/02 | 分类号: | C08F30/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;石腾飞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 构件 树脂 组合 中空 颗粒 | ||
提供:能提供通过用于半导体构件用树脂组合物从而能体现优异的低介电特性的半导体构件的、用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒。本发明的实施方式的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒在颗粒内部具有孔隙部,配混有聚酰亚胺80重量份和该中空树脂颗粒20重量份的薄膜(F1)的相对介电常数Dk1相对于仅由该聚酰亚胺形成的薄膜(F0)的相对介电常数Dk0的减少率为3%以上。
技术领域
本发明涉及用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒。
背景技术
近年来,随着各种电子设备的信息处理量和通信速度的增大,所搭载的半导体器件的高集成化、布线的高密度化、和多层化等的安装技术急速进展。对于用于半导体器件中使用的半导体构件的绝缘树脂材料,为了提高高频率的信号的传输速度、减少信号传输时的损耗,要求绝缘树脂的相对介电常数和介质损耗角正切低。
针对这种要求,报道了如下技术:通过使具有壳体部和被该壳体部包围的中空部分的中空颗粒混合存在于绝缘树脂,从而在绝缘树脂内导入空域,实现了低比介电化、低介质损耗角正切化。
作为这种技术,例如报道了,涉及介孔结构和形成于其表面的边界所形成的中空多孔性树脂颗粒的技术(专利文献1)。该中空多孔性树脂颗粒如下得到:使聚合性单体在水系中进行悬浮聚合时,使油溶性聚合引发剂与水溶性聚合引发剂同时起作用,从而得到。
然而,以专利文献1中记载的方法制作的中空多孔性树脂颗粒的表层部极薄且脆,因此,有如果施加外力则颗粒会被破坏的风险高。
如此,现有的中空多孔性树脂颗粒的机械强度不充分,施加外力时容易产生变形和破坏,施加外力的情况下,难以维持其形状。将如此机械强度不充分的中空多孔性树脂颗粒用于半导体封装体、半导体组件等半导体构件中使用的树脂组合物的情况下,制造该半导体构件、具有该半导体构件的半导体器件等时,存在如下问题:由于外力而会被破坏,无法实现低比介电化、低介质损耗角正切化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-82152号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的课题在于,提供:能提供通过用于半导体构件用树脂组合物从而能体现优异的低介电特性的半导体构件的、用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒。
用于解决问题的方案
对于本发明的实施方式的用于半导体构件用树脂组合物的中空树脂颗粒,
其在颗粒内部具有孔隙部,
配混有聚酰亚胺80重量份和该中空树脂颗粒20重量份的薄膜(F1)的相对介电常数Dk1相对于仅由该聚酰亚胺形成的薄膜(F0)的相对介电常数Dk0的减少率为3%以上。
一个实施方式中,上述薄膜(F1)的介质损耗角正切Df1相对于上述薄膜(F0)的介质损耗角正切Df0的减少率为3%以上。
一个实施方式中,上述中空树脂颗粒的体积平均粒径为0.5μm~100μm。
一个实施方式中,上述中空树脂颗粒含有聚合物(P),所述聚合物(P)包含选自由源自乙烯基系单体的结构单元(I)和源自磷酸酯系单体的结构单元(II)组成的组中的至少1种。
一个实施方式中,上述源自磷酸酯系单体的结构单元(II)具有乙烯系不饱和基团。
一个实施方式中,上述磷酸酯系单体用通式(1)表示。
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