[发明专利]冲击吸收粘合片

说明书

本发明的目的在于，提供即使冲击吸收层变薄也能够充分吸收由电子部件等碰撞带来的冲击、能够无损伤无位置偏差地接收电子部件的冲击吸收粘合片。本发明的冲击吸收粘合片(1)具有至少1层粘合剂层(10)。因针对粘合剂层(10)的下述条件的热机械分析(TMA)而形成的下陷深度相对于粘合剂层(10)的厚度的比例(下陷深度/厚度×100)为10％以上。本发明的冲击吸收粘合片(1)优选具有至少1层基材(11)。·热机械分析(TMA)探针直径：1.0mm模式：针入模式压入载荷：0.05N测定气氛温度：‑40℃压入负荷时间：20分钟。

技术领域

本发明涉及冲击吸收粘合片。更详细而言，本发明涉及可适宜地用于转印半导体芯片、LED芯片等小型电子部件的冲击吸收粘合片。

背景技术

在半导体装置制造过程中，通常以临时固定在切割带上的状态将半导体晶圆通过切割而单片化，单片化的半导体芯片从晶圆背面的切割带侧被针构件顶起，被称为吸嘴的吸附治具拾取，安装在电路基板等安装基板上(例如专利文献1)。

但是，由于微细加工技术的进步，半导体芯片的小型化、薄型化不断推进，用吸嘴一个一个地拾取变得越来越困难。另外，半导体装置的小型化也在推进，需要将很多微细的半导体芯片密集地安装在安装基板上，通过吸嘴一个一个地安装的方式还存在效率差的问题。

作为解决上述问题的手段，正在研究称为激光转移的技术(例如，参照专利文献2)。激光转移首先在临时固定材料上将半导体芯片等小型(例如边长为100μm以下的尺寸的方形)电子部件配置成格子状，并且使配置电子部件的面朝向下方地进行配置。然后，与该临时固定材料的配置有电子部件的面相对且设有间隙地配置用于转印(接收)电子部件的转印用基板。然后，从临时固定材料侧对电子部件照射激光束而解除临时固定、使其剥离并落下到转印用基板上，由此进行转印。被转印到转印用基板上的电子部件可以转印到另外的载体基板并安装于安装基板，或者可以通过从转印用基板直接转印于安装基板而进行安装。

激光转移不需要使用吸嘴等机械地拾取小型电子部件，而是对多个电子部件照射激光束，能够通过进行扫描以光学时间尺度进行转印，因此效率飞跃性提高。另外，通过以设有间隙(clearance)的方式配置临时固定材料和转印用基板，还具有能够将电子部件调整为期望间隔地排列电子部件的优点。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2019-9203号公报

专利文献2:日本特开2019-067892公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，激光转移中以设有间隙(clearance)的方式配置临时固定材料和转印用基板，因此存在如下问题：剥离后的电子部件与转印用基板碰撞时受到冲击而破损、弹起而发生位置偏移或发生翻转等不良，在转印用基板的表面设置冲击吸收层，以缓和电子部件与转印用基板碰撞时的冲击(例如专利文献2)。这样的冲击吸收层为了在电子部件发生碰撞时能够充分吸收冲击而需要设为较厚，但是过厚时存在如下课题：与电子部件的密合性高，损害所接收的电子部件向另外的载体基板或安装基板的转印性，转印用基板的制造成本上涨等。

本发明是鉴于上述课题作出的，其目的在于，提供即使冲击吸收层变薄也能够充分吸收由电子部件等的碰撞带来的冲击、能够无损伤无位置偏移地接收电子部件的冲击吸收粘合片。

用于解决问题的方案

本发明的第1方面提供具有至少1层粘合剂层的冲击吸收粘合片。本发明的第1方面的冲击吸收粘合片中，因针对上述粘合剂层的下述条件的热机械分析(TMA)而形成的下陷深度相对于上述粘合剂层的厚度的比例(下陷深度/厚度×100)为10％以上。

·热机械分析(TMA)