[发明专利]用于差分总线系统的传输装置

说明书

本发明涉及一种用于差分总线系统的传输装置，该传输装置带有用于与差分总线系统的传输介质、例如与差分总线线路连接的第一总线接头和第二总线接头，并且带有能与和/或与第一总线接头和第二总线接头连接的发射装置，还进一步具有阻抗匹配电路，阻抗匹配电路构造用于，影响在第一总线接头和/或第二总线接头处的阻抗。

技术领域

本公开文本涉及一种用于差分总线系统的传输装置。

本公开文本还涉及一种用于运行差分总线系统的传输装置的方法。

发明内容

示例性的实施方式涉及到一种用于差分总线系统的传输装置，传输装置带有用于与差分总线系统的传输介质、例如与差分总线线路连接的第一总线接头和第二总线接头，并且带有能与和/或与第一总线接头和第二总线接头连接的发射装置，还进一步具有阻抗匹配电路，阻抗匹配电路构造用于，影响在第一总线接头和/或第二总线接头处的阻抗。这在一些实施方式中使得能至少暂时减少传输装置的电磁辐射和/或实现更高的抗干扰性。

在进一步的示例性的实施方式中规定，阻抗匹配电路构造用于，这样来影响在第一总线接头处的阻抗(“第一阻抗”)和/或在第二总线接头处的阻抗(“第二阻抗”)，使得在第一总线接头处的阻抗与在第二总线接头处的阻抗最大偏离了一个能预定的差值。这在进一步的示例性的实施方式中例如可以适用于至少一个能预定的频率范围，即例如整个由总线系统所使用的频率范围的一个部分范围，但在其它示例性的实施方式中例如也适用于所有由总线系统使用的频率范围。

在进一步的示例性的实施方式中，相应的阻抗例如可以至少暂时具有复值，即没有消失的虚数部分。与此对应，在进一步的示例性的实施方式中，前述差值例如也可以是复值。在进一步的示例性的实施方式中，能预定的差值例如也可以是纯实的或纯虚的。

在进一步的示例性的实施方式中规定，阻抗匹配电路具有至少一个有源的半导体元件，这在进一步的示例性的实施方式中实现了对第一和/或第二阻抗的特别有效的和/或精准的调整。

在进一步的示例性的实施方式中规定，阻抗匹配电路具有第一有源的半导体元件和第二有源的半导体元件，其中，第一有源的半导体元件能与和/或与第一总线接头连接，其中，第二有源的半导体元件能与和/或与第二总线接头连接。

在进一步的示例性的实施方式中规定，阻抗匹配电路具有至少一个电路部件，该电路部件是发射装置的至少一个部分的模拟(Nachbildung)。

在进一步的示例性的实施方式中规定，“发射装置的至少一个部分的模拟”指的是一个电路部件，其具有和发射装置的相关的例如被模拟的部分相同的拓扑中的相同的构件类型(例如带有相同的构件参数或构件值，例如除了能预定的公差外)。

在进一步的示例性的实施方式中规定，阻抗匹配电路具有至少一个电路部件，其是发射装置的完整的模拟。

在进一步的示例性的实施方式中规定，至少一个电路部件具有由第一二极管和第一晶体管以及第二晶体管构成的串联电路。在进一步的示例性的实施方式中，第一晶体管和/或第二晶体管分别构造成场效应晶体管，例如NMOS(n型金属-氧化物-半导体，n沟道MOSFET)或PMOS(p型金属-氧化物-半导体，p沟道MOSFET)型的场效应晶体管，或者构造成n沟道MOSFET或p沟道MOSFET的相应的“高压”变型方案。

在进一步的示例性的实施方式中规定，至少一个电路部件的第一二极管与发射装置的至少一个部分的第一二极管对应，例如对应发射装置的至少一个部分的第一二极管的一种类型。

在进一步的示例性的实施方式中规定，至少一个电路部件的第一晶体管与发射装置的至少一个部分的第一晶体管对应，例如对应发射装置的至少一个部分的第一晶体管的一种类型。

在进一步的示例性的实施方式中规定，至少一个电路部件的第二晶体管与发射装置的至少一个部分的第二晶体管对应，例如对应发射装置的至少一个部分的第二晶体管的一种类型。