[发明专利]利用激光发光器件的基板热处理装置

权利要求书

1.一种基板热处理装置，其特征在于，包括：

工艺腔室，在内部放置待热处理的平板基板，包括位于上述平板基板的下部的光束透射板和位于上述平板基板的上部的红外线透射板；

光束照射模块，通过上述光束透射板向上述平板基板的下部面照射单一波长的垂直腔面发射激光器光束；以及

辐射率测定模块，通过测定从上述平板基板的下部面或上部面反射的上述激光束来测定上述平板基板的辐射率。

2.根据权利要求1所述的基板热处理装置，其特征在于，上述辐射率测定模块位于上述光束照射模块的下部，通过测定从上述平板基板的下部面反射的上述激光束来测定上述平板基板的辐射率。

3.根据权利要求2所述的基板热处理装置，其特征在于，

上述工艺腔室包括：

侧壁，在内部放置上述平板基板；

外部壳体，在上述侧壁的内部中的上述平板基板的上部设置有上述红外线透射板和上部板；以及

内部壳体，在上述外部壳体的内侧位于上述平板基板的下部，在上部设置有上述光束透射板，

上述光束照射模块在上述内部壳体的内部位于上述光束透射板的下部。

4.根据权利要求3所述的基板热处理装置，其特征在于，

上述光束照射模块包括从上部面向下部面贯通的辐射率测定孔，

上述辐射率测定模块位于上述辐射率测定孔的下部。

5.根据权利要求2所述的基板热处理装置，其特征在于，上述辐射率测定模块包括功率计，上述功率计位于上述辐射率测定孔的下部，通过接收上述激光束来测定上述辐射率。

6.根据权利要求2所述的基板热处理装置，其特征在于，上述辐射率测定模块包括：

光缆，位于辐射率测定孔的下部，接收上述激光束；以及

功率计，与上述光缆相连接，用于测定上述辐射率。

7.根据权利要求2所述的基板热处理装置，其特征在于，

上述光束照射模块包括激光发光器件，

上述激光发光器件包括面发光激光器件或边缘发光激光器件。

8.根据权利要求2所述的基板热处理装置，其特征在于，

上述光束照射模块包括激光发光器件，

上述激光发光器件包括垂直腔面发射激光器器件。

9.根据权利要求2所述的基板热处理装置，其特征在于，

上述工艺腔室还包括支撑上述平板基板的外侧的基板支架，

上述基板热处理装置还包括支撑上述基板支架并使其旋转的基板旋转模块。

10.根据权利要求2所述的基板热处理装置，其特征在于，上述基板旋转模块包括：

内侧旋转部，呈N极和S极沿着圆周方向交替形成的环形状，在腔室下部空间的内部结合在基板支架的下部；以及

外侧转动部，在上述外部壳体的外侧与上述内侧旋转部相向设置，通过产生磁力来使上述内侧旋转部旋转。