[发明专利]利用激光发光器件的基板热处理装置

说明书

本发明公开基板热处理装置，其包括：包括：工艺腔室，在内部放置待热处理的平板基板，包括位于平板基板的下部的光束透射板和位于平板基板的上部的红外线透射板；光束照射模块，通过光束透射板向平板基板的下部面照射单一波长的垂直腔面发射激光器(VCSEL)光束；以及辐射率测定模块，通过测定从平板基板的下部面或上部面反射的激光束来测定平板基板的辐射率。

技术领域

本发明涉及利用激光发光器件的基板热处理装置。

背景技术

半导体晶圆或平板显示装置用玻璃基板等平板基板可通过进行外延工艺、薄膜结晶化工艺、离子注入工艺或激活工艺等制作工艺而被制成半导体或平板显示模块。

上述平板基板需要在制作工艺中恒定维持温度。为了恒定维持上述平板基板的温度而需要准确地测定平板基板的温度。上述平板基板的温度通常利用在平板基板中测定的辐射率来测定。但是，上述平板基板的辐射率受到温度、表面粗糙度、表面图案的形状等平板基板的自身特性的影响，因此测定较为艰难。尤其，上述制作工序在相对高的温度条件下进行，因此，很难准确地测定平板基板的辐射率。

最近，随着半导体技术的微细化，上述制作工序需要较小的温度偏差和高的温度均匀度。因此，上述热处理装置需要准确测定平板基板的温度。

发明内容

技术问题

本发明的目的在于，提供在不使用单独光源的情况下可以测定平板基板的辐射率的利用激光发光器件的基板热处理装置。

技术方案

本发明的利用激光发光器件的基板热处理装置的特征在于，包括：工艺腔室，在内部放置待热处理的平板基板，包括位于上述平板基板的下部的光束透射板和位于上述平板基板的上部的红外线透射板；光束照射模块，通过上述光束透射板向上述平板基板的下部面照射单一波长的垂直腔面发射激光器(VCSEL)光束；以及辐射率测定模块，通过测定从上述平板基板的下部面或上部面反射的上述激光束来测定上述平板基板的辐射率。

并且，上述辐射率测定模块可位于上述光束照射模块的下部，通过测定从上述平板基板的下部面反射的上述激光束来测定上述平板基板的辐射率。

并且，上述工艺腔室可包括：侧壁，在内部放置上述平板基板；外部壳体，在上述侧壁的内部中的上述平板基板的上部设置有上述红外线透射板和上部板；以及内部壳体，在上述外部壳体的内侧位于上述平板基板的下部，在上部设置有上述光束透射板，上述光束照射模块在上述内部壳体的内部位于上述光束透射板的下部。

并且，上述光束照射模块可包括从上部面向下部面贯通的辐射率测定孔，上述辐射率测定模块可位于上述辐射率测定孔的下部。

并且，上述辐射率测定模块可包括功率计，上述功率计位于上述辐射率测定孔的下部，通过接收上述激光束来测定上述辐射率。

并且，上述辐射率测定模块可包括：光缆，位于辐射率测定孔的下部，接收上述激光束；以及功率计，与上述光缆相连接，用于测定上述辐射率。

并且，上述光束照射模块可包括激光发光器件，上述激光发光器件包括面发光激光器件或边缘发光激光器件。

并且，上述光束照射模块可包括激光发光器件，上述激光发光器件包括垂直腔面发射激光器器件。

并且，上述工艺腔室还可包括支撑上述平板基板的外侧的基板支架，上述基板热处理装置还包括支撑上述基板支架并使其旋转的基板旋转模块。

并且，上述基板旋转模块可包括：内侧旋转部，呈N极和S极沿着圆周方向交替形成的环形状，在腔室下部空间的内部结合在基板支架的下部；以及外侧转动部，在上述外部壳体的外侧与上述内侧旋转部相向设置，通过产生磁力来使上述内侧旋转部旋转。

发明的效果