[发明专利]固态成像装置在审
申请号: | 202180089231.2 | 申请日: | 2021-08-13 |
公开(公告)号: | CN116636018A | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 纳土晋一郎;山崎知洋;蛯子芳树;横川创造;荻田知治;松谷弘康;守屋雄介 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;陈桂香 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 | ||
1.一种固态成像装置,包括多个像素,每个所述像素包括:
基板,具有用作光入射面的第一表面;
光电转换部,其位于所述基板内部;
遮光部,其设置在所述第一表面一侧,所述遮光部具有被构造为允许光入射至所述光电转换部的孔部;和
第一透镜,其由硅构成,所述第一透镜被设置在所述遮光部上并且将入射光朝着所述孔部会聚。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中,所述第一透镜由非晶硅或多晶硅构成。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中,所述孔部的至少一部分包含所述第一透镜的材料。
4.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中,所述孔部是光波导。
5.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中,在所述第一透镜的光入射侧的表面和与所述光入射侧相反的表面中的至少一者上设置有防反射膜。
6.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中,在所述基板的与所述第一表面相反的第二表面一侧设置有反射层,并且
其中,所述反射层由与包括在设置于所述第二表面一侧的配线层中的配线相同的材料、分别具有不同的折射率的层叠的多个膜和金属膜中的任一者形成。
7.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中,光衍射部设置在所述基板的所述第一表面和与所述第一表面相反的第二表面中的至少一者上,所述光衍射部在截面图中具有凹凸结构。
8.根据权利要求7所述的固态成像装置,
其中,所述凹凸结构由针对一个所述光电转换部设置在所述基板上的一个以上的四棱锥形成。
9.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中,所述基板的所述第一表面在对应于所述孔部的位置处具有包括绝缘材料或空气层的槽部。
10.根据权利要求9所述的固态成像装置,
其中,针对一个所述光电转换部设置有多个所述槽部。
11.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中,在所述基板内部的两个相邻的所述光电转换部之间设置有与所述基板接触的分离部,所述分离部具有包括绝缘膜或包括所述绝缘膜和空气层的沟槽结构。
12.根据权利要求11所述的固态成像装置,
其中,在所述分离部中,所述沟槽结构具有埋入其中的金属材料,并且所述绝缘膜设置在所述金属材料与所述基板之间。
13.根据权利要求12所述的固态成像装置,
其中,所述遮光部包括金属膜,并且
其中,所述分离部中包含的所述金属材料和所述遮光部中包括的所述金属膜彼此接触。
14.根据权利要求13所述的固态成像装置,
其中,所述分离部中包含的所述金属材料和所述遮光部中包括的所述金属膜的材料相同,并且所述分离部和所述遮光部一体形成。
15.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中,所述遮光部具有设置在所述第一透镜一侧的表面上的多个凸部或凹部。
16.根据权利要求15所述的固态成像装置,
其中,所述遮光部以凹凸形状大致平行地设置并且在它们之间夹设有绝缘膜,所述凹凸形状由所述基板的所述第一表面上的所述凸部或所述凹部形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的