[发明专利]固态成像装置在审
申请号: | 202180089231.2 | 申请日: | 2021-08-13 |
公开(公告)号: | CN116636018A | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 纳土晋一郎;山崎知洋;蛯子芳树;横川创造;荻田知治;松谷弘康;守屋雄介 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;陈桂香 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 | ||
根据本公开的固态成像装置包括多个像素(100),每个所述像素包括:基板(140),其具有用作光入射面的第一表面;光电转换部(121),位于所述基板内部;遮光部(130),其设置在所述第一表面一侧并且具有允许光入射到所述光电转换部的孔部(160);和第一透镜(123a),其由硅构成,其被设置在所述遮光部上并且将入射光朝着所述孔部会聚。
技术领域
本公开涉及一种固态成像装置。
背景技术
近年来,对能够感测红外区域的波长的光之中的具有比可见红光的波长更长且比远红外区域中的光的波长更短的波长的光(以下,称为红外光)的受光元件的需求增加。例如,诸如智能手机等便携式电子设备可以基于包括红外光的图像或使用红外光的测距结果来执行用户认证等。
尽管诸如使用Si(硅)层作为光吸收层的光电二极管等受光元件具有对红外光的灵敏度,但由于Si的光吸收系数的波长依赖性,每单位厚度的光吸收系数随着波长变长而降低,并且入射到Si层的长波长的光的大部分光子也穿过Si层。
作为在受光元件中获得对长波长侧的光的高灵敏度的方法,已经提出了各种方法。例如,专利文献1提出了如下结构:其中,在受光面的相反侧的面上设置反射结构,在片上透镜与基板(Si层)之间设置针孔(pinhole),并且被受光面的相反侧的表面反射的反射光被限制在Si层中。通过专利文献1所提出的结构,被限制在Si层中的光被反射结构反射,使得光路长度延长,因此能够更有效地执行光电转换,并且能够期待高灵敏度。
引用文献列表
专利文献
专利文献1:JP 2019-114642 A
专利文献2:JP 2008-147333 A
专利文献3:WO 2020/012984 A
专利文献4:JP 2019-180048 A
发明内容
本发明要解决的技术问题
然而,在现有技术中,对于照射到受光元件的光,在片上透镜中光没有被充分地变窄,小孔结构部中的光的损失大。
本公开的目的在于提供一种能够获得更高灵敏度的固态成像装置。
技术问题的解决方案
为了解决上述问题,根据本公开的一个方面的固态成像装置具有:基板,其具有用作光入射面的第一面;光电转换部,其位于所述基板内部;遮光部,其设置在所述第一面侧,所述遮光部具有被构造为允许光入射到所述光电转换部的孔部;和第一透镜,其由硅构成,所述第一透镜设置在所述遮光部上并且将入射光向所述孔部会聚。
附图说明
图1是示出本公开的第一实施方案适用的电子设备的示例的构成的框图。
图2是示出第一实施方案适用的成像部的示例的构成的框图。
图3是示出第一实施方案适用的像素的示例的电路的电路图。
图4是示出第一实施方案适用的像素阵列的示例的图。
图5是示出第一实施方案适用的在层叠并且使用蓝色滤波器和红色滤波器的情况下的特性的示例的示意图。
图6是示出Si的吸收率光谱的膜厚度依赖性的示例的图。
图7是示出吸收率与Si膜厚度的关系的示例的2波长的图。
图8是示意性地示出根据现有技术的受光元件的在垂直于受光面的方向的截面的示意图。
图9是示出从根据现有技术的像素射出的反射和衍射光引起的光斑(flare)的产生的示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202180089231.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用免疫检查点分子功能化的工程细胞及其应用
- 下一篇:泡罩塔反应器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的