[发明专利]一种微波等离子体控制系统和方法

说明书

本发明实施例提出一种微波等离子体控制系统和方法，包括均与主控装置通信连接的气路控制装置、真空压力控制装置和水路控制装置；主控装置用于根据目标参数和采集的气路控制装置、真空压力控制装置和水路控制装置的工作数据，向气路控制装置、真空压力控制装置和水路控制装置分别发送对应的控制指令；气路控制装置用于根据控制指令控制气体开关和气体流量控制，并根据其工作状态实时调整气体流量配比；真空压力控制装置用于根据控制指令控制腔内真空状态、样品台位置、墙板位置和腔盖开关；水路控制装置用于根据控制指令控制样品台温度和水流量。其能够保证籽晶表面均匀沉积，并提高生产效率。

技术领域

本发明涉及微波等离子体技术领域，具体而言，涉及一种微波等离子体控制系统和方法。

背景技术

微波等离子体化学气相沉积装置适合于金刚石生产，通过等离子化的反应气体在托盘的籽晶表面沉积以形成金刚石膜。为实现批量生产，托盘上会按照阵列放置籽晶。如何保证籽晶表面均匀沉积和提高生产效率为目前亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种微波等离子体控制系统和方法，其能够保证籽晶表面均匀沉积，并提高生产效率。

为了实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种微波等离子体控制系统，包括主控装置、气路控制装置、真空压力控制装置和水路控制装置，所述主控装置与所述气路控制装置、所述真空压力控制装置和所述水路控制装置均通信连接；

所述主控装置用于根据目标参数和采集的所述气路控制装置、所述真空压力控制装置和所述水路控制装置的工作数据，向所述气路控制装置、所述真空压力控制装置和所述水路控制装置分别发送对应的控制指令；

所述气路控制装置用于根据所述控制指令控制气体开关和气体流量控制，并根据其工作状态实时调整气体流量配比；

所述真空压力控制装置用于根据所述控制指令控制腔内真空状态、样品台位置、墙板位置和腔盖开关；

所述水路控制装置用于根据所述控制指令控制所述样品台温度和水流量。

进一步地，所述气路控制装置还用于判断与所述主控装置之间的通讯连接是否成功，若失败，则检查通信参数是否异常；

若成功，所述气路控制装置还用于判断所述控制指令为读指令或写指令，若所述控制指令为读指令，则获取所述气体开关的状态信息和气体反馈值，并向所述主控装置反馈所述气体开关的状态信息和气体反馈值；

若所述控制指令为写指令，则根据所述控制指令控制气体流量配比和所述气体开关的开关。

进一步地，所述真空压力控制装置还用于采集所述腔内真空值，并将所述真空值进行模数转换，并向所述主控装置反馈转换后的真空值。

进一步地，所述真空压力控制装置还用于判断与所述主控装置之间的通讯连接是否成功，若失败，则检查通信参数是否异常；

若成功，所述真空压力控制装置还用于判断所述控制指令为读指令或写指令，若所述控制指令为读指令，则获取相序状态，并向所述主控装置反馈所述相序状态；

若所述控制指令为写指令，则根据所述控制指令控制所述样品台位置、墙板位置和腔盖开关，并将所述样品台的状态信息、所述腔内真空状态信息反馈至所述主控装置。

进一步地，所述水路控制装置还用于判断与所述主控装置之间的通讯连接是否成功，若失败，则检查通信参数是否异常；

若成功，所述水路控制装置还用于判断所述控制指令为读指令或写指令，若所述控制指令为读指令，则获取水流量信息和温度信息，并将所述水流量信息和温度信息反馈至所述主控装置；

若所述控制指令为写指令，则根据所述控制指令控制所述样品台温度和水流量。