[发明专利]存储器结构及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括存储单元区；

位于所述存储单元区上的两个相互分立的浮栅结构，两个所述浮栅结构之间具有第一开口，所述浮栅结构包括第一浮栅部、以及位于所述第一浮栅部上的第二浮栅部，所述第一开口暴露出所述第一浮栅部的侧壁和所述第二浮栅部的侧壁，且所述第一浮栅部的侧壁相对于所述第二浮栅部的侧壁凹陷；

位于每个所述浮栅结构上的控制栅结构，两个所述控制栅结构之间具有第二开口，所述第二开口暴露出所述第一开口；

位于所述第一开口和所述第二开口内的字线结构。

2.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述第二浮栅部与所述第一浮栅部的重叠面积占比所述第二浮栅部的80％～100％。

3.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述控制栅结构覆盖所述第二浮栅部的顶部表面、以及所述第一浮栅部暴露出的顶部表面。

4.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述浮栅结构包括：第一隧穿氧化层、位于所述第一隧穿氧化层上的浮栅层、以及位于所述浮栅层侧壁的第二隧穿氧化层。

5.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述控制栅结构包括：第一栅介质层、位于所述第一栅介质层上的控制栅层、以及位于所述控制栅层侧壁的第二栅介质层。

6.如权利要求5所述的存储器结构，其特征在于，所述第一栅介质层和所述第二栅介质层为单层结构或多层结构。

7.如权利要求6所述的存储器结构，其特征在于，当所述第一栅介质层和所述第二栅介质层为多层结构时，所述第一栅介质层和所述第二栅介质层分别包括：第一氧化硅层、位于所述第一氧化硅层上的氮化硅层、以及位于所述氮化硅层上的第二氧化硅层。

8.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述字线结构的材料为半导体材料，所述半导体材料包括：多晶硅。

9.一种存储器结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括存储单元区；

在所述存储单元区上形成两个相互分立的浮栅结构，两个所述浮栅结构之间具有第一开口，所述浮栅结构包括第一浮栅部、以及位于所述第一浮栅部上的第二浮栅部，所述第一开口暴露出所述第一浮栅部的侧壁和所述第二浮栅部的侧壁，且所述第一浮栅部的侧壁相对于所述第二浮栅部的侧壁凹陷；

在每个所述浮栅结构上形成控制栅结构，两个所述控制栅结构之间具有第二开口，所述第二开口暴露出所述第一开口；

在所述第一开口和所述第二开口内形成字线结构。

10.如权利要求9所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，所述第二浮栅部与所述第一浮栅部的重叠面积占比所述第二浮栅部的80％～100％。

11.如权利要求9所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，所述控制栅结构覆盖所述第二浮栅部的顶部表面、以及所述第一浮栅部暴露出的顶部表面。

12.如权利要求9所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，所述浮栅结构包括：第一隧穿氧化层、位于所述第一隧穿氧化层上的浮栅层、以及位于所述浮栅层侧壁的第二隧穿氧化层。

13.如权利要求12所述的存储器结构的形成方法，其特征在于，所述控制栅结构包括：第一栅介质层、位于所述第一栅介质层上的控制栅层、以及位于所述控制栅层侧壁的第二栅介质层。