[发明专利]存储器结构及其形成方法

说明书

一种存储器结构及其形成方法，其中存储器结构包括：衬底；位于所述衬底上的两个相互分立的浮栅结构，两个所述浮栅结构之间具有第一开口，所述浮栅结构包括第一浮栅部、以及位于所述第一浮栅部上的第二浮栅部，所述第一开口暴露出所述第一浮栅部的侧壁和所述第二浮栅部的侧壁，且所述第一浮栅部的侧壁相对于所述第二浮栅部的侧壁凹陷；位于每个所述浮栅结构上的控制栅结构，两个所述控制栅结构之间具有第二开口；位于所述第一开口和所述第二开口内的字线结构。由于所述第二浮栅部相对于所述第一浮栅部是错位堆叠，使得后续形成的字线结构在包覆所述浮栅结构的侧壁时，会与所述第二浮栅部之间形成三个擦除位点，以提升存储器结构的擦除性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种存储器结构及其形成方法。

背景技术

NOR型闪存是基于Intel公司提出的ETOX结构发展而来的，是一种非易失性存储器，即芯片断电后仍能保持所存数据不丢失。同时NOR闪存是一种电压控制型器件，采用热电子注入方式写入数据，基于隧道效应擦除数据，其显著的一个特点是随机读取速度很快。NOR闪存作为一种非挥发性存储器具有非挥发性、高器件密度、低功耗和可电重写性等特点，被广泛应用到便携式电子产品中如手机、数码相机、智能卡等。

Flash存储单元结构与MOS器件类似，通过加入浮栅和介质层实现电荷的储存。浮栅中电子的存取会导致器件阈值电压的变化，从而来表示Flash存储单元的状态。NorFlash阵列通过横向的栅极连接在一起，称为字线。漏极通过接触孔与纵向的金属相连，称为位线。相邻的两个器件的源极被接在一起，形成横向的源线。

然而，现有的Nor Flash器件在形成过程中仍存在诸多问题。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种存储器结构及其形成方法，以提升存储器结构的擦除性能。

为解决上述问题，本发明提供一种存储器结构，包括：衬底，所述衬底包括存储单元区；位于所述存储单元区上的两个相互分立的浮栅结构，两个所述浮栅结构之间具有第一开口，所述浮栅结构包括第一浮栅部、以及位于所述第一浮栅部上的第二浮栅部，所述第一开口暴露出所述第一浮栅部的侧壁和所述第二浮栅部的侧壁，且所述第一浮栅部的侧壁相对于所述第二浮栅部的侧壁凹陷；位于每个所述浮栅结构上的控制栅结构，两个所述控制栅结构之间具有第二开口，所述第二开口暴露出所述第一开口；位于所述第一开口和所述第二开口内的字线结构。

可选的，所述第二浮栅部与所述第一浮栅部的重叠面积占比所述第二浮栅部的80％～100％。

可选的，所述控制栅结构覆盖所述第二浮栅部的顶部表面、以及所述第一浮栅部暴露出的顶部表面。

可选的，所述浮栅结构包括：第一隧穿氧化层、位于所述第一隧穿氧化层上的浮栅层、以及位于所述浮栅层侧壁的第二隧穿氧化层。

可选的，所述控制栅结构包括：第一栅介质层、位于所述第一栅介质层上的控制栅层、以及位于所述控制栅层侧壁的第二栅介质层。

可选的，所述第一栅介质层和所述第二栅介质层为单层结构或多层结构。

可选的，当所述第一栅介质层和所述第二栅介质层为多层结构时，所述第一栅介质层和所述第二栅介质层分别包括：第一氧化硅层、位于所述第一氧化硅层上的氮化硅层、以及位于所述氮化硅层上的第二氧化硅层。

可选的，所述字线结构的材料为半导体材料，所述半导体材料包括：多晶硅。