[发明专利]一种量子点LED灯珠及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210006562.1 申请日: 2022-01-05
公开(公告)号: CN114361316A 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 肖从清 申请(专利权)人: 深圳市朋威科技有限公司
主分类号: H01L33/56 分类号: H01L33/56;H01L33/50;H01L33/48;H01L33/00
代理公司: 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 代理人: 韩国胜
地址: 518000 广东省深圳市南山区南山街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 量子 led 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种量子点LED灯珠,其特征在于,包括基板(11)、蓝光芯片(2)、量子点混合物、硅胶和基膜,所述基板(11)上设置容纳腔(12);

所述蓝光芯片(2)、所述量子点混合物、所述硅胶和所述基膜由下至上依次位于所述容纳腔(12)内;

所述量子点混合物的涂覆面积大于或等于所述蓝光芯片(2)的面积;

所述硅胶封闭所述容纳腔(12),并包覆所述量子点混合物和所述蓝光芯片(2)。

2.如权利要求1所述的量子点LED灯珠,其特征在于,所述量子点混合物包括红色量子点和绿色量子点。

3.如权利要求1所述的量子点LED灯珠,其特征在于,所述量子点混合物的成分包括硫化镉、硒化镉、碲化镉、硒化锌、氮化镓和/或砷化铟。

4.如权利要求1所述的量子点LED灯珠,其特征在于,所述容纳腔(12)为圆台体,由所述蓝光芯片(2)朝向所述硅胶的方向,所述容纳腔(12)的横截面积逐渐增大。

5.如权利要求1所述的量子点LED灯珠,其特征在于,所述蓝光芯片(2)为倒装芯片,所述蓝光芯片(2)包括电极(21)以及由下至上依次设置的P型GaN层(22)、发射层(23)、N型GaN层(24)和衬底(25);

所述电极(21)的顶部抵靠所述P型GaN层(22),所述P型GaN层(22)和所述电机(21)的底部均抵靠在所述容纳腔(12)的底部,所述电极(21)上设置的凸点和所述容纳腔(12)的底部连接。

6.一种量子点LED灯珠的制备方法,用于制备如权利要求1-5任一项所述的量子点LED灯珠,其特征在于,依次包括如下步骤:

S1:将所述蓝光芯片(2)置于基材(1)上的所述容纳腔(12)内;

S2:在所述基膜上由下至上依次涂覆所述量子点混合物和所述硅胶;

所述量子点混合物的涂覆面积大于或等于所述蓝光芯片(2)的面积,所述硅胶包覆所述量子点混合物,所述硅胶和所述量子点混合物形成量子点胶;

S3:将所述基膜翻转180°后,将所述量子点胶送入所述容纳腔(12)内,所述硅胶封闭所述容纳腔(12),且所述量子点混合物和所述蓝光芯片(2)相对设置;

S4:采用真空热压的方式将所述量子点胶分别与所述蓝光芯片(2)以及所述容纳腔(12)相结合;

S5:待所述量子点材料和所述硅胶固化后,沿所述基材(1)切割形成多个所述基板(11),每个所述基板(11)包含一个所述容纳腔(12),以形成所述量子点LED灯珠。

7.如权利要求6所述的量子点LED灯珠的制备方法,其特征在于,步骤S3中还包括:所述硅胶与所述容纳腔(12)齐平。

8.如权利要求6所述的量子点LED灯珠的制备方法,其特征在于,步骤S4中还包括:采用自动切割设备切割所述基材(1)。

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