[发明专利]墨兰×春兰杂交兰后代根状茎分化成苗的方法

权利要求书

1.墨兰×春兰杂交兰后代根状茎分化成苗的方法，包括步骤1)、选择经墨兰×春兰杂交后代种子无菌萌发形成的根状茎并增殖培养获得的根状茎；其特征在于还包括如下步骤：

2)、将步骤1)所得的根状茎切割成1～1.5cm长，平放在分化培养基上，置于培养室培养；

分化培养基为以下任一：

MS+1～3mg·L^-16-BA+0.2mg·L^-1NAA+30g·L^-1蔗糖+5.5g·L^-1琼脂粉；

1/2MS+1～3mg·L^-16-BA+0.2mg·L^-1NAA+30g·L^-1蔗糖+5.5g·L^-1琼脂粉；

培养温度为25±2℃，黑暗培养30～31天，获得带有圆锥形芽点的根状茎段；

3)、将步骤2)所得的带有圆锥形芽点的根状茎段转入光照培养条件下培养120±5d；

光照培养光周期为12h·d^-1，培养温度为25±2℃，光照强度1500～2000Lx。

2.根据权利要求1所述的墨兰×春兰杂交兰后代根状茎分化成苗的方法，其特征在于：分化培养基中，6-BA为2～3mg·L^-1。

3.根据权利要求1或2所述的墨兰×春兰杂交兰后代根状茎分化成苗的方法，其特征在于所述步骤2)中：将步骤1)所得的根状茎刮去表面粘附的增殖培养基所含的琼脂，再进行切割。