[发明专利]一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法

权利要求书

1.一种屏蔽栅MOSFET器件的制作方法，其特征在于，该制作方法包括：

提供所述衬底，在所述衬底的上表面形成硬质掩膜层；

对所述硬质掩膜层和所述衬底进行刻蚀形成第一深沟槽；

在所述硬质掩膜层顶部、所述第一深沟槽内淀积阻挡层；

刻蚀所述阻挡层至硬质掩模层表面，且继续在所述第一深沟槽底部刻蚀形成有第二深沟槽，此时，在第一深沟槽侧壁形成所述阻挡层材质的侧墙保护；

刻蚀所述第二深沟槽并淀积形成屏蔽栅厚介质层；

去除所述阻挡层以及所述硬质掩膜层，并在所述第一深沟槽内壁形成栅介质层；

在各个沟槽内及所述衬底顶部淀积多晶硅，并一步刻蚀同时形成有栅多晶硅和屏蔽栅多晶硅，其中，所述栅多晶硅形成于所述屏蔽栅厚介质层上方，所述屏蔽栅多晶硅形成于所述第二深沟槽内；

执行离子注入工艺在所述栅介质层两侧形成阱，并在所述阱上方形成源极；

在所述源极和所述第二深沟槽上方沉积接触孔介质层；

刻蚀所述接触孔介质层，在所述阱、所述栅多晶硅和所述屏蔽栅多晶硅上方形成接触孔；

在所述衬底的背面形成背面金属，并在所述接触孔中填充正面金属。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述硬质掩膜层顶部、所述第一深沟槽内淀积阻挡层，包括：

在所述第一深沟槽底部平坦处与所述硬质掩膜层顶部形成薄层阻挡层；

在所述第一深沟槽内壁形成厚层阻挡层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述阻挡层至硬质掩模层表面，包括：

刻蚀所述薄层阻挡层；

沿所述第一深沟槽内壁刻蚀所述厚层阻挡层至所述硬质掩模层表面。

4.一种屏蔽栅MOSFET器件，其特征在于，该器件至少包括：

设有第一深沟槽(S1)的衬底(1)；形成于第二深沟槽(S2)中的屏蔽栅多晶硅(10)；所述屏蔽栅多晶硅(10)侧壁及底部设有紧贴所述第二深沟槽(S2)内壁的屏蔽栅厚介质层(2)；覆盖于所述屏蔽栅多晶硅(10)顶部与所述屏蔽栅厚介质层(2)顶部的接触孔介质层(7)；

形成于所述屏蔽栅厚介质层(2)上方的栅多晶硅(4)；所述栅多晶硅(4)侧壁设有栅介质层(3)；形成于所述栅介质层(3)两侧的阱(5)；所述阱(5)的上方设有源极(6)；形成于所述衬底(1)背面的背面金属(8)；填充于所述阱(5)、所述栅多晶硅(4)和所述屏蔽栅多晶硅(10)上方接触孔内的正面金属(9)。

5.根据权利要求4所述的屏蔽栅MOSFET器件，其特征在于，所述屏蔽栅厚介质层(2)和所述屏蔽栅多晶硅(10)的顶部高度与所述第二深沟槽(S2)的深度相同。

6.根据权利要求4所述的屏蔽栅MOSFET器件，其特征在于，所述屏蔽栅介质层(7)填充于所述第一深沟槽(S1)内。

7.根据权利要求4所述的屏蔽栅MOSFET器件，其特征在于，所述栅多晶硅(4)和所述屏蔽栅多晶硅(10)通过一步淀积与一步回刻，同时形成于深沟槽内。