[发明专利]一种钛铜合金蚀刻液及蚀刻方法

说明书

本发明公开一种钛铜合金蚀刻液及蚀刻方法，蚀刻液包括：无机酸、铜盐和缓蚀剂。无机酸用于提供酸性环境的氢离子，酸性环境有利于激发铜盐中铜离子的氧化性，使其与钛铜合金发生反应，实现对钛铜合金的蚀刻。铜盐溶解后，铜离子在酸性环境中具有强氧化性，可与钛铜合金发生反应，实现对钛铜合金的蚀刻。通过在蚀刻液中添加缓蚀剂，缓蚀剂能够溶解在蚀刻液中，且与钛铜合金具有较好的亲和力，缓蚀剂在蚀刻过程中可以附着在钛铜合金的侧壁，减少侧壁与蚀刻液的接触，进而减少侧蚀，提高蚀刻精度。

技术领域

本发明涉及电路蚀刻技术领域，尤其涉及一种钛铜合金蚀刻液及蚀刻方法。

背景技术

微型致动结构应用于手机摄像头、汽车摄像头、电子成像显微镜、柔性精密器件等高精密的成像设备中，用于实现对镜头中的镜头在垂直于光轴的XY平面或是Z轴(即光轴)的小尺寸(微米到毫米级)的位置移动/还原，以实现防抖动和变焦。

微型致动结构通常包括驱动装置和挠曲装置，驱动装置用于提供驱动镜头移动的驱动力，挠曲装置用于提供镜头移动的载体，驱动装置通过驱动挠曲装置移动从而带动镜头移动。挠曲装置同时还用于传输传感信号，以便处理器能够获知镜头的位置，并进行精确地补偿。因此，挠曲装置是一种包括具有一定强度、弹性模量低、回复性好的支撑层的柔性线路板。钛铜合金具有强度高、弹性模量低、回复性好等优点，因此可满足挠曲装置的支撑层的要求(既可实现小尺寸位移、亦可回复原样)，但同时其耐化学腐蚀性又导致其加工困难。采用现有的蚀刻液对钛铜合金进行蚀刻时，通常会出现侧蚀较大，蚀刻因子较小，蚀刻精度较低的问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种钛铜合金蚀刻液及蚀刻方法，能够减少侧壁与蚀刻液的接触，进而减少侧蚀，提高蚀刻精度。

第一方面，本发明实施例提供了一种钛铜合金蚀刻液，包括：

无机酸，用于提供酸性环境的氢离子，所述氢离子在蚀刻液中的摩尔浓度为1mol/L-5mol/L；

铜盐，用于提供与钛铜合金发生氧化反应铜离子，所述铜盐的在蚀刻液中质量浓度为50g/L-500g/L；

缓蚀剂，用于在蚀刻时附着在钛铜合金的侧壁，减少侧蚀，所述缓蚀剂在蚀刻液中的质量浓度为0.01g/L-0.1g/L。

可选的，所述缓蚀剂为苯并三氮唑。

可选的，所述苯并三氮唑在蚀刻液中的质量浓度为0.03g/L-0.06g/L。

可选的，所述无机酸为盐酸。

可选的，所述铜盐为氯化铜。

可选的，钛铜合金蚀刻液还包括氯酸钠，用于提高蚀刻速度，所述氯酸钠在蚀刻液中质量浓度为5g/L-50g/L。

第二方面，本发明实施例提供了一种钛铜合金蚀刻方法，其特征在于，采用如权利要求1-6任一所述的蚀刻液进行蚀刻，包括：

提供带载体的钛铜合金箔；

在所述钛铜合金箔上形成掩膜，以遮挡不需要蚀刻的部分；

采用喷头以与所述钛铜合金箔呈预设的倾斜角度向所述钛铜合金箔喷洒所述蚀刻液，并进行至少两次蚀刻；

去除所述掩膜，并对所述蚀刻后的所述钛铜合金箔进行清洗和干燥。

可选的，所述倾斜角度为60°-80°。

可选的，每次蚀刻的时长为2min-3min。

可选的，当所述喷头位于所述钛铜合金箔下方时，所述喷头的喷压为0.12MPa，当所述喷头位于所述钛铜合金箔上方时，所述喷头的喷压为0.10MPa。