[发明专利]一种增强N型半导体稳定性的方法

权利要求书

1.抗坏血酸在增强N型半导体稳定性中的应用。

2.一种增强N型半导体稳定性的方法，其特征在于，在N型半导体器件表面构筑抗坏血酸薄膜。

3.根据权利要求2所述的增强N型半导体稳定性的方法，其特征在于，所述抗坏血酸薄膜的制备方法为：将抗坏血酸溶液通过悬涂法、提拉法或滴注法均匀涂布在所述N型半导体器件表面，自然固化或者真空退火固化，所述抗坏血酸薄膜的厚度为2nm～1μm。

4.根据权利要求3所述的增强N型半导体稳定性的方法，其特征在于，所述真空退火固化的温度为60℃，时间为1min～1h。

5.根据权利要求3所述的增强N型半导体稳定性的方法，其特征在于，所述抗坏血酸溶液中抗坏血酸的浓度为1×10^-3mol/ml～10mol/ml，所述抗坏血酸溶液中的溶剂为乙醇或水。

6.根据权利要求3所述的增强N型半导体稳定性的方法，其特征在于，所述抗坏血酸溶液中还加入聚氨酯，按质量比计，聚氨酯：抗坏血酸＝1：10～1000。

7.根据权利要求2所述的增强N型半导体稳定性的方法，其特征在于，所述N型半导体器件为利用N型半导体薄膜或晶体制备的器件。

8.根据权利要求2所述的增强N型半导体稳定性的方法，其特征在于，所述N型半导体器件的制备方法为：

(1)选用柔性或硬质基底及绝缘介电层，制备栅极导电电极；

(2)在所述栅极导电电极上构筑N型半导体层；

(3)在所述N型半导体层上沉积源、漏电极。

9.根据权利要求8所述的增强N型半导体稳定性的方法，其特征在于，步骤(2)中构筑N型半导体层的方法为热蒸镀法、原子层沉积法、电子束蒸镀法、磁控溅射法、电镀法、旋涂法、提拉法、滴注法、PVT生长单晶法或剥离法，所述N型半导体层的厚度为0.5nm～1μm，所述N型半导体层为有机小分子半导体层、有机聚合物层或二维无机半导体层。

10.根据权利要求9所述的增强N型半导体稳定性的方法，其特征在于，所述有机小分子半导体为C60、PTCDI-C₈、PTCDA、PTCP-CH₂C₃F₇、DCyNTDA、F16CuPc或HAT-CN；所述有机聚合物为N2200或BDPPV；所述二维无机半导体为BP、WS₂或MoS₂。