[发明专利]一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202210013234.4 | 申请日： | 2022-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN114349504B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 方豪杰;贺亦文;张晓云;曾雄;张斗;黄荣厦;龙莹 | 申请（专利权）人： | 湖南省美程陶瓷科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司： | 长沙大珂知识产权代理事务所(普通合伙) 43236 | 代理人： | 邓文娟 |
| 地址： | 417600 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 型钙钛矿 继电器 电子 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料，其特征在于，由掺杂助剂、烧结助剂、钙钛矿型电子陶瓷主晶相组成；
所述掺杂助剂为Al2O3和Ta2O5；
所述掺杂助剂中Al2O3和Ta2O5的质量比为1-10：1-10；
所述掺杂助剂用量为钙钛矿型电子陶瓷主晶相质量的2-5%；
所述烧结助剂由LiAlO2与氟化物组成；
所述LiAlO2与氟化物的质量比为3-5：1；
所述烧结助剂用量为钙钛矿型电子陶瓷主晶相质量的3-3.5%；
所述钙钛矿型电子陶瓷主晶相为Ba[(Co1-xMnx)1/3Nb2/3]O3，x为0.25；
所述氟化物为LF、MF2或ReF3，其中L为碱金属，M为Ca或Mg，Re为Y、La、Gd、Dy、Tm或Yb；
上述掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料的制备方法，具体如下：
S1：先将Co3O4、MnO、Nb2O5加入球磨罐，以无水乙醇作为球磨介质，500-550r/min下球磨湿混10-16h，再600-650r/min下球磨干混3-5h后，预升温至700-800℃煅烧4-6h，恢复室温后再加入BaCO3，重复上述球磨湿混和球磨干混步骤，升温至1000-1100℃煅烧4-6h后，再降温至500-550℃保温5-8h，最后自然恢复室温，得到Ba[(Co1-xMnx)1/3Nb2/3]O3；
S2：将Ba[(Co1-xMnx)1/3Nb2/3]O3、Al2O3、Ta2O5、LiAlO2与氟化物组成的混合料加入球磨罐中，再加入石蜡和硬脂酸，以无水乙醇作为球磨介质，500-550r/min下球磨湿混20-25h后，压制成坯体，坯体在850-900℃下煅烧排蜡1-4h，再于1280-1320℃下烧结6-10h，接着降温至400-500℃后保温1-2h，最后炉冷至室温即可。
2.如权利要求1所述的掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料，其特征在于，压制成坯体时的压力为120-150MPa，压制时间为2-5min。
3.如权利要求1所述的掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料，其特征在于，S2中石蜡的用量为混合料质量的5-9%，硬脂酸的用量为混合料质量的1.5-2%。
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