[发明专利]一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法

说明书

本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法，由掺杂助剂、烧结助剂、钙钛矿型电子陶瓷主晶相组成；所述掺杂助剂为Al₂O₃和Ta₂O₅；所述烧结助剂LiAlO₂与氟化物组成；所述钙钛矿型电子陶瓷主晶相为Ba[(Co_1‑xMn_x)_1/3Nb_2/3]O₃，0＜x≤0.4，本发明所制备电子陶瓷材料的介电常数在36‑38之间稳定波动，介电损耗小，品质因子高，谐振频率温度系数无限接近于零，用于电子设备中漂移程度小，可以保证工作稳定性。

技术领域

本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体涉及一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法。

背景技术

电子陶瓷（electronic ceramic），是指在电子工业中能够利用电、磁性质的陶瓷。其是通过对表面、晶界和尺寸结构的精密控制而最终获得具有新功能的陶瓷，也是目前航天、新能源、新材料、微电子、激光、海洋工程和生物工程等高新技术的重要组成部分和不可缺少的物质基础，是当前高技术竞争的热点之一。

钙钛矿电子陶瓷材料目前被作为压电陶瓷、微波陶瓷、半导体陶瓷等被广泛应用，但是较高的介电损耗阻碍了其进一步应用，而且对于含Co的Ba（B′_1/3B_2/3）O₃钙钛矿型电子陶瓷材料在高温烧结时，Co的化学价态不稳定，且易形成富Nb的第二相，这也增大了介电损耗。

发明内容

发明目的：针对上述技术问题，本发明提供了一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法。

本发明所采用的技术方案如下：

一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料，由掺杂助剂、烧结助剂、钙钛矿型电子陶瓷主晶相组成；

所述掺杂助剂为Al₂O₃和Ta₂O₅；

所述烧结助剂LiAlO₂与氟化物组成；

所述钙钛矿型电子陶瓷主晶相为Ba[(Co_1-xMn_x)_1/3Nb_2/3]O₃，0＜x≤0.4。

进一步地，所述掺杂助剂中Al₂O₃和Ta₂O₅的质量比为1-10：1-10。

进一步地，所述氟化物为LF、MF₂或ReF₃，其中L为碱金属，M为Ca或Mg，Re为Y、La、Gd、Dy、Tm、Yb。

进一步地，所述LiAlO₂与氟化物的质量比为3-5：1。

进一步地，所述掺杂助剂用量为钙钛矿型电子陶瓷主晶相质量的2-5%。

进一步地，所述烧结助剂用量为钙钛矿型电子陶瓷主晶相质量的3-3.5%。

进一步地，x为0.25。

上述掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料的制备方法如下：