[发明专利]本机振荡器缓冲器

权利要求书

1.一种本机振荡器缓冲器电路，其包括：

互补共源级，所述互补共源级包括第一p沟道晶体管和第一n沟道晶体管，所述第一p沟道晶体管和所述第一n沟道晶体管被布置成使得所述第一p沟道晶体管和所述第一n沟道晶体管中的每一者的相应栅极端子在第一输入节点处连接在一起，并且所述第一p沟道晶体管和所述第一n沟道晶体管中的每一者的相应漏极端子在缓冲器输出节点处连接在一起；以及

互补源极跟随器级，所述互补源极跟随器级包括第二p沟道晶体管和第二n沟道晶体管，所述第二p沟道晶体管和所述第二n沟道晶体管被布置成使得所述第二p沟道晶体管和所述第二n沟道晶体管中的每一者的相应栅极端子在第二输入节点处连接在一起，并且所述第二p沟道晶体管和所述第二n沟道晶体管中的每一者的相应源极端子在所述缓冲器输出节点处连接在一起。

2.如权利要求1所述的本机振荡器缓冲器电路，其中所述第一p沟道晶体管和所述第一n沟道晶体管的相应跨导的总和基本上等于所述第二p沟道晶体管和所述第二n沟道晶体管的相应跨导的总和。

3.如权利要求1所述的本机振荡器缓冲器电路，所述第一p沟道晶体管和所述第一n沟道晶体管的相应跨导的总和大于所述第二p沟道晶体管和所述第二n沟道晶体管的相应跨导的总和。

4.如权利要求1、2或3所述的本机振荡器缓冲器电路，其还包括：

第二互补共源级，所述第二互补共源级包括第三p沟道晶体管和第三n沟道晶体管，所述第三p沟道晶体管和所述第三n沟道晶体管被布置成使得所述第三p沟道晶体管和所述第三n沟道晶体管中的每一者的相应栅极端子在第三输入节点处连接在一起，并且所述第三p沟道晶体管和所述第三n沟道晶体管中的每一者的相应漏极端子在第二缓冲器输出节点处连接在一起；以及

第二互补源极跟随器级，所述第二互补源极跟随器级包括第四p沟道晶体管和第四n沟道晶体管，所述第四p沟道晶体管和所述第四n沟道晶体管被布置成使得所述第四p沟道晶体管和所述第四n沟道晶体管中的每一者的相应栅极端子在第四输入节点处连接在一起，并且所述第四p沟道晶体管和所述第四n沟道晶体管中的每一者的相应源极端子在所述第二缓冲器输出节点处连接在一起；

其中所述缓冲器电路被布置成接收包括正输入信号和负输入信号的差分输入，其中所述正输入信号被提供给所述第一输入节点和所述第四输入节点，并且其中所述负输入信号被提供给所述第二输入节点和所述第三输入节点。

5.如权利要求4所述的本机振荡器缓冲器电路，其中所述第三p沟道晶体管和所述第三n沟道晶体管的相应跨导的总和基本上等于所述第四p沟道晶体管和所述第四n沟道晶体管的相应跨导的总和。

6.如权利要求4所述的本机振荡器缓冲器电路，所述第三p沟道晶体管和所述第三n沟道晶体管的相应跨导的总和大于所述第四p沟道晶体管和所述第四n沟道晶体管的相应跨导的总和。

7.如权利要求1、2或3所述的本机振荡器缓冲器电路，其中所述第一p沟道晶体管的源极端子连接到正电源轨，并且其中所述第一n沟道晶体管的源极端子连接到负电源轨或接地。

8.如权利要求1、2或3所述的本机振荡器缓冲器电路，其中所述第二n沟道晶体管的漏极端子连接到正电源轨，并且其中所述第二p沟道晶体管的漏极端子连接到负电源轨或接地。

9.如权利要求1、2或3所述的本机振荡器缓冲器电路，其中所述共源级包括连接到所述第一输入端子的偏置电阻器。

10.如权利要求9所述的本机振荡器缓冲器电路，其中所述偏置电阻器被布置成使得所述偏置电阻器的第一端子连接至所述共源级的所述输入节点，并且使得所述偏置电阻器的第二端子连接至共源级偏置电压。

11.如权利要求9所述的本机振荡器缓冲器电路，其中所述偏置电阻器被布置成使得所述偏置电阻器的第一端子连接至所述共源级的输入节点，并且使得所述偏置电阻器的第二端子连接至所述缓冲器输出节点。