[发明专利]存储器的自修复电路、芯片

权利要求书

1.一种存储器的自修复电路，其特征在于，包括：

内建自测试状态机，所述内建自测试状态机通过测试总线与N个存储器连接，所述内建自测试状态机用于对所述N个存储器进行故障检测，并在检测到出现故障的故障存储器时，得到所述故障存储器的故障信息，其中，N为大于1的整数；

内建自修复模块，所述内建自修复模块具有与所述N个存储器一一对应的N个第一修复信号输出端，所述内建自修复模块用于根据所述故障信息生成相应的第一修复信号，并通过与所述故障存储器对应的第一修复信号输出端输出所述第一修复信号；

锁存器模块，所述锁存器模块具有N个第一修复信号输入端和N个目标修复信号输出端，所述N个第一修复信号输入端与所述N个第一修复信号输出端一一对应连接，所述N个目标修复信号输出端与所述N个存储器一一对应连接，所述锁存器模块用于在测试功能模式下，对所述第一修复信号进行锁存，并生成相应的目标修复信号，以及通过对应的目标修复信号输出端将所述目标修复信号输出至所述故障存储器，以对所述故障存储器进行修复；

其中，所述内建自修复模块还具有与所述N个存储器一一对应的N个第二修复信号输出端，所述锁存器模块还具有N个第二修复信号输入端，所述N个第二修复信号输入端与所述N个第二修复信号输出端一一对应连接；其中，

所述内建自修复模块还用于根据所述故障信息生成第二修复信号，并通过与所述故障存储器对应的第二修复信号输出端输出所述第二修复信号，其中，所述第二修复信号用以标识对应的第一修复信号是否有效；

所述锁存器模块具体用于在接收到所述第二修复信号时，对相应的第一修复信号进行锁存；

所述内建自修复模块具体用于在根据所述故障信息确定所述故障存储器的缺陷个数小于等于1时，生成所述第二修复信号。

2.如权利要求1所述的存储器的自修复电路，其特征在于，所述内建自修复模块还具有修复信息输出端，所述内建自修复模块还用于根据所述故障信息生成修复信息，并通过所述修复信息输出端输出所述修复信息，其中，所述修复信息包括所述存储器的编号、失效位置、失效数据。

3.如权利要求2所述的存储器的自修复电路，其特征在于，所述电路还包括：

非易失性存储单元，所述非易失性存储单元具有N个第三修复信号输出端，所述非易失性存储单元用于存储所述修复信息，并根据所述故障信息生成第三修复信号；

其中，所述锁存器模块还具有N个第三修复信号输入端和第一触发端，所述N个第三修复信号输入端与所述N个第三修复信号输出端一一对应连接，所述锁存器模块还用于在正常功能模式下，通过所述第一触发端接收到第一修复触发信号时，根据接收到的第三修复信号生成相应的目标修复信号，并通过所述目标修复信号对所述故障存储器进行修复。

4.如权利要求2所述的存储器的自修复电路，其特征在于，所述电路还包括：

电可编程熔丝模块，所述电可编程熔丝模块具有N个第四修复信号输出端，所述电可编程熔丝模块用于存储所述修复信息，并根据所述故障信息生成第四修复信号；

其中，所述锁存器模块还具有N个第四修复信号输入端和第二触发端，所述N个第四修复信号输入端与所述N个第四修复信号输出端一一对应连接，所述锁存器模块还用于在正常功能模式下，通过所述第二触发端接收到第二修复触发信号时，根据接收到的第四修复信号生成相应的目标修复信号，并通过所述目标修复信号对所述故障存储器进行修复。

5.如权利要求3所述的存储器的自修复电路，其特征在于，所述内建自测试状态机还用于对所述修复信息进行验证，并在验证通过后，将所述修复信息存储至所述非易失性存储单元。

6.如权利要求5所述的存储器的自修复电路，其特征在于，所述内建自测试状态机在将所述修复信息存储至所述非易失性存储单元时，具体用于：

对所述修复信息按照编码方式进行编码，并将编码后的修复信息存储至所述非易失性存储单元。

7.一种芯片，其特征在于，包括：

N个存储器；以及

如权利要求1-6中任一项所述的存储器的自修复电路。

8.如权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述N个存储器均为静态随机存取存储器。