[发明专利]半导体结构的检测方法、装置、半导体结构及存储器

权利要求书

1.一种半导体结构的检测方法，其特征在于，所述半导体结构包括目标晶体管的第一测试结构和第二测试结构；所述第一测试结构包括第一阱区，位于所述第一阱区中的第一源漏极区，位于所述第一阱区上的第一栅极结构，位于所述第一源漏极区上且与所述第一源漏极区连接的第一源漏极触点，以及位于所述第一源漏极触点上且与所述第一源漏极触点连接的源漏极连接层，所述第一阱区与所述第一源漏极区的导电类型相同；所述第二测试结构包括第二阱区，位于所述第二阱区中的第二源漏极区，以及位于所述第二阱区上的第二栅极结构，所述第二阱区与所述第二源漏极区的导电类型相同；

所述方法包括：

检测所述第一测试结构中所述第一阱区与所述第一栅极结构之间的第一电容；

检测所述第二测试结构中所述第二阱区与所述第二栅极结构之间的第二电容；

根据所述第一电容和所述第二电容，计算所述目标晶体管的总寄生电容。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，所述根据所述第一电容和所述第二电容，计算所述目标晶体管的寄生电容的步骤，包括：

计算所述第一电容与所述第二电容之间的第一差值，并将所述第一差值作为所述目标晶体管的总寄生电容。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，所述半导体结构还包括所述目标晶体管的第三测试结构，所述第三测试结构包括第三阱区，位于所述第三阱区中的第三源漏极区，位于所述第三阱区上的第三栅极结构，以及位于所述第三源漏极区上且与所述第三源漏极区连接的第二源漏极触点，所述第三阱区与所述第三源漏极区的导电类型相同；

所述方法还包括：

检测所述第三测试结构中所述第三阱区与所述第三栅极结构之间的第三电容；

根据所述第一电容和所述第三电容，计算所述目标晶体管的连接层寄生电容；

根据所述第二电容和所述第三电容，计算所述目标晶体管的触点寄生电容。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，所述根据所述第一电容和所述第三电容，计算所述目标晶体管的连接层寄生电容的步骤，包括：

计算所述第一电容与所述第三电容之间的第二差值，并将所述第二差值作为所述连接层寄生电容。

5.根据权利要求3所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，所述根据所述第二电容和所述第三电容，计算所述目标晶体管的触点寄生电容的步骤，包括：

计算所述第三电容与所述第二电容之间的第三差值，并将所述第三差值作为所述触点寄生电容。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的检测方法，其特征在于，所述半导体结构还包括所述目标晶体管，所述目标晶体管包括目标阱区，位于所述目标阱区中的目标源漏极区，位于所述目标阱区上的目标栅极结构，位于所述目标源漏极区上且与所述目标源漏极区连接的目标源漏极触点，以及位于所述目标源漏极触点上且与所述目标源漏极触点连接的目标源漏极连接层；所述目标阱区与所述目标源漏极区的导电类型不同；

所述方法还包括：

将所述目标晶体管中的所述目标源漏极区短接；

检测所述目标源漏极区与所述目标栅极结构之间的第四电容；

计算所述第四电容与所述总寄生电容之间的第五差值，并将所述第五差值作为所述目标晶体管的实际电容。

7.一种半导体结构，其特征在于，包括目标晶体管的第一测试结构和第二测试结构；

所述第一测试结构包括：

第一阱区；

位于所述第一阱区中的第一源漏极区，所述第一阱区与所述第一源漏极区的导电类型相同；

位于所述第一阱区上的第一栅极结构；

位于所述第一源漏极区上且与所述第一源漏极区连接的第一源漏极触点；以及，

位于所述第一源漏极触点上且与所述第一源漏极触点连接的源漏极连接层；

所述第二测试结构包括：

第二阱区；

位于所述第二阱区中的第二源漏极区，所述第二阱区与所述第二源漏极区的导电类型相同；以及，

位于所述第二阱区上的第二栅极结构。