[发明专利]声波谐振器封装件

权利要求书

1.一种声波谐振器封装件，包括：

声波谐振器，设置在基板的第一表面上；

盖，设置为面向所述基板的所述第一表面；

结合构件，设置在所述基板与所述盖之间，并且被构造为将所述声波谐振器的结合表面与所述盖彼此结合，

其中，所述结合构件包含玻璃熔块，并且

其中，所述声波谐振器的所述结合表面利用介电材料形成。

2.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述盖利用玻璃材料形成。

3.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述结合构件沿着所述盖的边缘设置，并且设置为连续地围绕所述声波谐振器。

4.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述结合构件包含V₂O₃、TaO₂、B₂O₃、ZnO和Bi₂O₃中的任意一种。

5.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述声波谐振器的所述结合表面利用SiO₂、Si₃N₄、TiO₂、Al₂O₃、AlN、ZrO₂、非晶硅和多晶硅中的任意一种形成。

6.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述声波谐振器包括具有依次堆叠在所述基板上的第一电极、压电层和第二电极的谐振器。

7.如权利要求6所述的声波谐振器封装件，其中，所述声波谐振器还包括沿着所述声波谐振器的表面设置的保护层，并且

其中，所述结合构件结合到所述保护层。

8.如权利要求7所述的声波谐振器封装件，其中，所述保护层利用SiO₂、Si₃N₄、MgO、ZrO₂、TiO₂、Al₂O₃、AlN、锆钛酸铅、GaAs、HfO₂、ZrO₂、ZnO、金刚石、非晶硅和多晶硅中的任意一种形成。

9.如权利要求6所述的声波谐振器封装件，其中，所述声波谐振器还包括支撑层，所述支撑层设置在所述谐振器和所述基板之间，并且被构造为将所述谐振器和所述基板间隔开预定距离，并且

其中，所述结合构件结合到所述支撑层。

10.如权利要求9所述的声波谐振器封装件，其中，所述支撑层利用多晶硅材料形成。

11.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，所述声波谐振器封装件还包括支撑部，所述支撑部设置在所述声波谐振器上，并且被构造为面向所述结合构件，

其中，所述支撑部的上表面被构造为形成所述声波谐振器的结合表面。

12.如权利要求11所述的声波谐振器封装件，其中，所述支撑部的上端设置为比所述声波谐振器的上端更靠近所述盖。

13.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述盖被构造为在面向所述声波谐振器的区域中具有凹槽。

14.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，其中，所述声波谐振器还包括沿着所述声波谐振器的表面设置的疏水层。

15.如权利要求1所述的声波谐振器封装件，所述声波谐振器封装件还包括：

连接端子，设置在所述基板的第二表面上；以及

连接导体，设置为穿过所述基板并将所述声波谐振器和所述连接端子电连接。