[发明专利]声波谐振器封装件

说明书

本公开提供一种声波谐振器封装件。所述声波谐振器封装件包括：声波谐振器，包括在基板的第一表面上的声波谐振器；盖，设置为面向所述基板的所述第一表面；结合构件，设置在所述基板与所述盖之间，并且被构造为将所述声波谐振器的结合表面与所述盖彼此结合，其中，所述结合构件包括玻璃熔块，并且所述声波谐振器的结合到所述结合构件的所述结合表面可利用介电材料形成。

本申请要求于2021年6月10日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0075581号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

以下描述涉及声波谐振器封装件。

背景技术

近来，已经开发出具有小型化形式的无线通信装置。例如，可使用利用半导体薄膜晶片制造技术实现的体声波(BAW)谐振器型滤波器。

当薄膜型元件基于其压电特性使用硅晶片(半导体基板)上的压电材料引起谐振时形成BAW。BAW可被实现为滤波器。

发明内容

提供本发明内容以按照简化的形式介绍所选择的构思，并在以下具体实施方式中进一步描述这些构思。本发明内容不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面，一种声波谐振器封装件包括：声波谐振器，设置在基板的第一表面上；盖，设置为面向所述基板的所述第一表面；结合构件，设置在所述基板与所述盖之间，并且被构造为将所述声波谐振器的结合表面与所述盖彼此结合，其中，所述结合构件包含玻璃熔块，并且其中，所述声波谐振器的所述结合表面利用介电材料形成。

所述盖可利用玻璃材料形成。

所述结合构件可沿着所述盖的边缘设置，并且设置为连续地围绕所述声波谐振器。

所述结合构件可包含V₂O₃、TaO₂、B₂O₃、ZnO和Bi₂O₃中的任意一种。

所述声波谐振器的所述结合表面可利用SiO₂、Si₃N₄、TiO₂、Al₂O₃、AlN、ZrO₂、非晶硅和多晶硅中的任意一种形成。

所述声波谐振器可包括具有依次堆叠在所述基板上的第一电极、压电层和第二电极的谐振器。

所述声波谐振器还可包括沿着所述声波谐振器的表面设置的保护层。

所述结合构件可结合到所述保护层。

所述保护层可利用SiO₂、Si₃N₄、TiO₂、Al₂O₃、AlN、ZrO₂、非晶硅(a-Si)和多晶硅(PolySi)中的任意一种形成。

所述声波谐振器还可包括支撑层，所述支撑层设置在所述谐振器和所述基板之间，并且被构造为将所述谐振器和所述基板间隔开预定距离，并且其中，所述结合构件结合到所述支撑层。

所述支撑层可利用多晶硅(Poly Si)材料形成。

所述声波谐振器封装件还可包括支撑部，所述支撑部设置在所述声波谐振器上，并且可被构造为面向所述结合构件，其中，所述支撑部的上表面可被构造为形成所述声波谐振器的结合表面。

所述支撑部的上端可设置为比所述声波谐振器的上端更靠近所述盖。

所述盖可被构造为在面向所述声波谐振器的区域中具有凹槽。