[发明专利]读取电压电平校正方法、存储器存储装置及控制电路单元

说明书

本发明提供一种读取电压电平校正方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。此方法包括：使用第一读取电压电平作为起始读取电压电平来对多个实体单元中的第一实体单元执行第一数据读取操作，以取得被用来成功读取第一实体单元的第二读取电压电平；将第一读取电压电平以及第二读取电压电平之间的关联信息记录在暂态查找表；以及根据读取电压电平追踪表以及暂态查找表中所记录的关联信息执行第二数据读取操作。

技术领域

本发明涉及一种读取电压电平追踪方法，尤其涉及一种用于可复写式非易失性存储器模块的读取电压电平校正方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。

背景技术

笔记本计算机和移动电话等可携式电子装置在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器(rewritable non-volatile memory)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小、无机械结构、读写速度快等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式电子装置中。固态硬盘就是一种以快闪存储器模块作为存储媒体的存储器存储装置。因此，近年快闪存储器产业成为电子产业中相当热门的一环。

当读取数据时，存储器存储装置会根据预设的读取电压电平来读取数据。然而，随着存储器存储装置中的存储器模块的操作与环境条件的不同，存储器模块的临界电压也会随之偏移。在此情况下，使用预设的读取电压电平读取数据可能会存在过多的错误比特。一般来说，存储器存储装置会通过执行最佳读取电压电平追踪操作来找出最佳读取电压电平。

在最佳读取电压电平追踪操作中，存储器存储装置会持续监测并记录存储器模块的最佳读取电压电平。然而，存储器存储装置实际读取数据当下的操作与环境条件(例如，温度)可能会与前次监测最佳读取电压电平时的条件不同。又或者，存储器存储装置可能因为主机系统断电或进入低耗电模式而无法持续监测最佳读取电压电平，而导致实际读取数据的时间与前次的监测时间的间隔过久。随着操作与环境条件的不同以及时间的经过，存储器模块的最佳读取电压电平可能会再偏移，以至于先前所找出的最佳读取电压电平失准。直接使用之前监测的结果反而可能导致读取操作的效能变差。

发明内容

本发明提供一种读取电压电平校正方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，能够减少寻找可成功读取实体单元读取电压电平的时间，从而增加整体数据读取操作的效能。

本发明提供一种读取电压电平校正方法，用于可复写式非易失性存储器模块，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元。所述方法包括：使用第一读取电压电平作为起始读取电压电平来对所述多个实体单元中的第一实体单元执行第一数据读取操作，以取得被用来成功读取所述第一实体单元的第二读取电压电平；将所述第一读取电压电平以及所述第二读取电压电平之间的关联信息记录在暂态查找表；以及根据读取电压电平追踪表以及所述暂态查找表中所记录的所述关联信息执行第二数据读取操作。所述读取电压电平追踪表记录所述多个实体单元的多个最佳读取电压电平。

在本发明的一实施例中，上述使用所述第一读取电压电平作为所述起始读取电压电平来对所述多个实体单元中的所述第一实体单元执行所述第一数据读取操作的步骤还包括：从所述读取电压电平追踪表中取得对应于所述第一实体单元的第一最佳读取电压电平作为所述第一读取电压电平。

在本发明的一实施例中，上述使用所述第一读取电压电平作为所述起始读取电压电平来对所述多个实体单元中的所述第一实体单元执行所述第一数据读取操作的步骤还包括：根据所述读取电压电平追踪表以及所述暂态查找表中所记录的所述关联信息决定所述第一读取电压电平。

在本发明的一实施例中，上述方法包括：在使用所述第一读取电压电平作为所述起始读取电压电平来对所述多个实体单元中的所述第一实体单元执行所述第一数据读取操作时或根据所述读取电压电平追踪表以及所述暂态查找表中所记录的所述关联信息执行所述第二数据读取操作时执行解码操作。