[发明专利]一种正装LED灯的制作方法在审
申请号: | 202210027582.7 | 申请日: | 2022-01-11 |
公开(公告)号: | CN114530438A | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 苏利雄 | 申请(专利权)人: | 深圳市德辰光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳市智胜联合知识产权代理有限公司 44368 | 代理人: | 王月 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 制作方法 | ||
1.一种正装LED灯的制作方法,其特征在于,包括:
在基板一侧形成至少一个绝缘区和至少两个导电区;
将至少一组芯片固设于所述基板的绝缘区内;
通过导线连接所述芯片和所述导电区。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过导线连接所述芯片和所述导电区的步骤,包括:
当所述芯片的组数和个数分别等于1时,通过导线对所述芯片的正电极与一导电区进行焊接,通过导线对所述芯片的负电极与另一导电区进行焊接。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过导线连接所述芯片和所述导电区的步骤,包括:
当所述芯片的组数等于1且所述芯片的个数大于1时,通过导线依次对不同芯片的正电极和负电极进行焊接;其中,首端芯片的正电极和尾端芯片的负电极空置;
通过导线对所述首端芯片的正电极和一导电区进行焊接,通过导线对所述尾端芯片的负电极和另一导电区进行焊接。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中,所述导电区的个数大于3;所述通过导线连接所述芯片和所述导电区的步骤,包括:
当所述芯片的组数大于1且每组所述芯片的个数等于1时,通过导线对所述芯片的正电极与一导电区进行焊接,通过导线对所述芯片的负电极与其他导电区进行焊接;其中,不同组内芯片的负电极焊接的导电区不同。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中,所述导电区的个数大于3;所述通过导线连接所述芯片和所述导电区的步骤,包括:
当所述芯片的组数大于1且每组所述芯片的个数大于1时,通过导线依次对同组内不同芯片的正电极和负电极进行焊接;其中,各组内首端芯片的正电极和尾端芯片的负电极空置;
通过导线对所述首端芯片的正电极与一导电区进行焊接,通过导线对所述尾端芯片的负电极与其他导电区进行焊接;其中,不同组内尾端芯片的负电极焊接的导电区不同。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述当所述芯片的组数大于1且每组所述芯片的个数大于1时,通过导线依次连接同组内不同芯片的正电极和负电极的步骤,包括:
当完成一组芯片之间的焊接时,在所述芯片之间形成绝缘层,以覆盖所述芯片之间的导线。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过导线连接所述芯片和所述导电区的步骤之后,包括:
依据预设的所述导电区的输入区和所述导电区的输出区确定所述导电区的闲置区;
在所述导电区的闲置区内形成保护层。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在所述导电区的闲置区内形成保护层的步骤之后,包括:
在所述导电区的输出区上绕所述绝缘区形成围坝。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述在所述导电区的输出区上绕所述绝缘区形成围坝的步骤之后,包括:
通过特种胶对所述芯片进行封装。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过导线连接所述芯片和所述导电区的步骤之后,包括:
通过影像识别的方式对所述芯片进行点粉。
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