[发明专利]读出电路版图

权利要求书

1.一种读出电路版图，其特征在于，包括：

第一PMOS版图，用于形成第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极连接第一信号端，所述第一信号端用于接收第一电平信号；

第一NMOS版图，用于形成第一NMOS管，所述第一NMOS管的源极连接第二信号端，所述第二信号端用于接收第二电平信号；

所述第一电平信号和所述第二电平信号中其中一个为高电平信号，另一个为低电平信号；

所述第一PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的栅极连接位线，所述第一PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极连接互补读出位线；

第二PMOS版图，用于形成第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极连接所述第一信号端；

第二NMOS版图，用于形成第二NMOS管，所述第二NMOS管的源极连接所述第二信号端；

所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极连接互补位线，所述第二PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极连接读出位线；

在垂直于位线延伸方向上，所述第一PMOS版图和所述第二PMOS版图对称设置，所述第一NMOS版图和所述第二NMOS版图对称设置。

2.根据权利要求1所述的读出电路版图，其特征在于，还包括：

偏移消除版图，用于形成第一偏移消除MOS管和第二偏移消除MOS管；

隔离版图，用于形成第一隔离MOS管和第二隔离MOS管；

所述第一偏移消除MOS管和所述第一隔离MOS管设置在第一区域中，且所述第一偏移消除MOS管和所述第一隔离MOS管共用有源区；

所述第二偏移消除MOS管和所述第二隔离MOS管设置在第二区域中，且所述第二偏移消除MOS管和所述第二隔离MOS管共用有源区；

在垂直于位线延伸方向上，所述第一区域和所述第二区域对称设置。

3.根据权利要求2所述的读出电路版图，其特征在于，所述第一偏移消除MOS管的源极连接所述位线，漏极连接所述互补读出位线，栅极用于接收所述偏移消除信号；所述第二偏移消除MOS管的源极连接所述互补位线，漏极连接所述读出位线，栅极用于接收所述偏移消除信号。

4.根据权利要求2所述的读出电路版图，其特征在于，所述第一隔离MOS管的源极连接所述位线，漏极连接所述读出位线，栅极用于接收所述隔离信号；所述第二隔离MOS管的源极连接所述互补位线，漏极连接所述互补读出位线，栅极用于接收所述隔离信号。

5.根据权利要求1所述的读出电路版图，其特征在于，还包括：均衡充电版图，用于形成均衡充电模块，其中，

所述均衡充电版图部分设置在第一区域中，部分设置在第二区域中；

或，所述第一PMOS版图和所述第二PMOS版图基于所述均衡充电版图对称设置，所述第一NMOS版图和所述第二NMOS版图基于所述均衡充电版图对称设置，所述第一区域和所述第二区域基于所述均衡充电版图对称设置。

6.根据权利要求5所述的读出电路版图，其特征在于，所述均衡充电模块，一端连接所述读出位线，另一端连接所述互补读出位线，用于将所述读出位线和所述互补读出位线均衡至预设电压。

7.根据权利要求6所述的读出电路版图，其特征在于，所述均衡充电模块，包括：

第一预充电MOS管，源极连接所述互补读出位线；

第二预充电MOS管，源极连接所述读出位线；

所述第一预充电MOS管的漏极和所述第二预充电MOS管的漏极用于接收所述预设电压，所述第一预充电MOS管的栅极和所述第二预充电MOS管的栅极用于接收预充电信号；

均衡MOS管，源极连接所述互补读出位线，漏极连接所述读出位线，栅极用于接收均衡信号。