[发明专利]读出电路版图

说明书

本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种读出电路版图，包括：第一PMOS版图，用于形成第一PMOS管，第一PMOS管的源极连接第一信号端，第一信号端用于接收第一电平信号；第一NMOS版图，用于形成第一NMOS管，第一NMOS管的源极连接第二信号端，第二信号端用于接收第二电平信号；第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极连接位线，第一PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极连接互补读出位线；第二PMOS版图，用于形成第二PMOS管，第二PMOS管的源极连接第一信号端；第二NMOS版图，用于形成第二NMOS管，第二NMOS管的源极连接第二信号端；第二PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极连接互补位线，第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极连接读出位线，以提高感测放大器的读出准确性。

技术领域

本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种读出电路版图。

背景技术

动态随机存取存储存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)通过单元电容中的电荷来写入数据；单元电容连接至位线和互补位线，在DRAM中，当执行读取操作或刷新操作时，读出放大器读出并放大位线和互补位线之间的电压差。

发明人发现，目前感测放大器的PMOS栅极由读出位线/互补读出位线控制，且存在一个端子连接读出位线/互补读出位线，即PMOS导通后，可能会受到自身影响而导致读出位线/互补读出位线的电位变化，从而影响存储器数据读出的准确性。

发明内容

本公开实施例提供一种读出电路版图，设计一种新的感测放大电路的连接方式，使得感测放大电路中PMOS管和NMOS管的栅极由位线或互补位线直接控制，以提高感测放大器的读出准确性。

本公开实施例提供了一种读出电路版图，包括：第一PMOS版图，用于形成第一PMOS管，第一PMOS管的源极连接第一信号端，第一信号端用于接收第一电平信号；第一NMOS版图，用于形成第一NMOS管，第一NMOS管的源极连接第二信号端，第二信号端用于接收第二电平信号；第一电平信号和第二电平信号中其中一个为高电平信号，另一个为低电平信号；第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极连接位线，第一PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极连接互补读出位线；第二PMOS版图，用于形成第二PMOS管，第二PMOS管的源极连接第一信号端；第二NMOS版图，用于形成第二NMOS管，第二NMOS管的源极连接第二信号端；第二PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极连接互补位线，第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极连接读出位线；在垂直于位线延伸方向上，第一PMOS版图和第二PMOS版图对称设置，第一NMOS版图和第二NMOS版图对称设置。

第一PMOS管和第一NMOS管的栅极直接连接位线，第二PMOS管和第二NMOS管的栅极直接连接互补位线，第一PMOS管和第一NMOS管通过相同的栅极连接关系，以准确实现位线电位的放大，第二PMOS管和第二NMOS管通过相同的栅极连接关系，以准确实现互补位线电位的放大，从而提高感测放大器的读出准确性。

另外，读出电路版图还包括：偏移消除版图，用于形成第一偏移消除MOS管和第二偏移消除MOS管；隔离版图，用于形成第一隔离MOS管和第二隔离MOS管；第一偏移消除MOS管和第一隔离MOS管设置在第一区域中，且第一偏移消除MOS管和第一隔离MOS管共用有源区；第二偏移消除MOS管和第二隔离MOS管设置在第二区域中，且第二偏移消除MOS管和第二隔离MOS管共用有源区；在垂直于位线延伸方向上，第一区域和第二区域对称设置。

另外，第一偏移消除MOS管的源极连接位线，漏极连接互补读出位线，栅极用于接收偏移消除信号；第二偏移消除MOS管的源极连接互补位线，漏极连接读出位线，栅极用于接收偏移消除信号。

另外，第一隔离MOS管的源极连接位线，漏极连接读出位线，栅极用于接收隔离信号；第二隔离MOS管的源极连接互补位线，漏极连接互补读出位线，栅极用于接收隔离信号。