[发明专利]半导体结构及其形成的方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包含：

将一第一导电触点形成于一第一介电层中，该第一导电触点耦接至一第一装置；

将一第二导电触点形成于该第一介电层中，该第二导电触点耦接至一第二装置；

将一第一沟槽形成于该第一介电层中，该第一沟槽具有一第一深度且暴露该第一导电触点的至少一部分；

将一第二沟槽形成于该第一介电层中，该第二沟槽具有不同于该第一深度的一第二深度且暴露该第二导电触点的至少一部分；

将一第一导电层形成于该第一沟槽及该第二沟槽中；以及

将一第二介电层在该第一沟槽及该第二沟槽中形成于该第一导电层上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

该第一装置、该第一沟槽中的该第一导电层，及该第一沟槽中的该第二介电层界定一第一沟槽共振器；且

该第二装置、该第二沟槽中的该第一导电层，及该第二沟槽中的该第二介电层界定一第二沟槽共振器。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包含以下步骤：

将一第三介电层形成于该第一沟槽共振器、该第二沟槽共振器，及该第一介电层上；以及

将一第二导电层形成于该第三介电层上。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包含以下步骤：

量测通过该第一沟槽共振器、该第二沟槽共振器、该第三介电层，及该第二导电层界定的一电容器的一电容。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包含以下步骤：

将一第一信号施加至该第二导电层；

将一第二信号施加至该第一沟槽共振器及该第二沟槽共振器；以及

基于该第一信号及该第二信号来量测通过该第一沟槽共振器、该第二沟槽共振器、该第三介电层，及该第二导电层界定的一电容器的一充电效能度量。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包含以下步骤：

将一第一信号施加至该第一沟槽共振器；

将一第二信号施加至该第二沟槽共振器；以及

量测通过该第一沟槽共振器、该第二沟槽共振器、该第三介电层，及该第二导电层界定的一电容器的一射频效能度量。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包含以下步骤：

图案化该第二导电层以界定该第一沟槽共振器上的一第一导电衬垫及该第二沟槽共振器上的一第二导电衬垫；

将一第一信号施加至该第一导电衬垫；

将一第二信号施加至该第二导电衬垫；以及

基于该第一信号及该第二信号来量测该半导体结构的一射频效能度量。

8.一种半导体结构，其特征在于，包含：

一第一介电层中的一第一沟槽共振器，该第一沟槽共振器包含一第一导电层及一第二介电层；以及

该第一介电层中的一第二沟槽共振器，该第二沟槽共振器包含一第二导电层及一第三介电层，其中以下中的至少一者：

该第二介电层的一材料组成不同于该第三介电层的一材料组成，或

该第一导电层的一材料组成不同于该第二导电层的一材料组成。

9.一种半导体结构，其特征在于，包含：

一第一晶粒区域，具有一功能区域及该功能区域外侧的一周边区域；以及

该周边区域中的一第一监测结构，该第一监测结构包含：

一第一沟槽共振器，包含一第一导电层及一第一介电层；以及

一第二沟槽共振器，包含一第二导电层及一第二介电层，其中该第一介电层的一材料组成不同于该第二介电层的一材料组成。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包含：

该功能区域中的一第二监测结构，该第二监测结构包含：

一第三沟槽共振器；以及

一第四沟槽共振器。