[发明专利]半导体结构及其形成的方法

说明书

一种半导体结构及其形成的方法，形成半导体结构的方法包括形成第一介电层中的第一导电触点，该第一导电触点耦接至第一装置；以及形成该第一介电层中的第二导电触点，该第二导电触点耦接至第二装置。第一沟槽经形成于该第一介电层中，该第一沟槽具有第一深度且暴露该第一导电触点的至少一部分。第二沟槽经形成于该第一介电层中，该第二沟槽具有不同于该第一深度的第二深度且暴露该第二导电触点的至少一部分。第一导电层经形成于该第一沟槽及该第二沟槽中。第二介电层在该第一沟槽及该第二沟槽中经成于该第一导电层上。

技术领域

本揭露关于一种半导体结构及其形成的方法。

背景技术

监测结构为尤其对于允许在制造期间或在制造之后量测半导体结构的特性有用的。

发明内容

根据本揭露的一些实施例，一种形成半导体结构的方法包含：将一第一导电触点形成于一第一介电层中，该第一导电触点耦接至一第一装置；将一第二导电触点形成于该第一介电层中，该第二导电触点耦接至一第二装置；将一第一沟槽形成于该第一介电层中，该第一沟槽具有一第一深度且暴露该第一导电触点的至少一部分；将一第二沟槽形成于该第一介电层中，该第二沟槽具有不同于该第一深度的一第二深度且暴露该第二导电触点的至少一部分；将一第一导电层形成于该第一沟槽及该第二沟槽中；以及将一第二介电层在该第一沟槽及该第二沟槽中形成于该第一导电层上。

根据本揭露的一些实施例，一种半导体结构包含：一第一介电层中的一第一沟槽共振器，该第一沟槽共振器包含一第一导电层及一第二介电层；以及该第一介电层中的一第二沟槽共振器，该第二沟槽共振器包含一第二导电层及一第三介电层，其中以下中的至少一者：该第二介电层的一材料组成不同于该第三介电层的一材料组成，或该第一导电层的一材料组成不同于该第二导电层的一材料组成。

根据本揭露的一些实施例，一种半导体结构包含：一第一晶粒区域，具有一功能区域及该功能区域外侧的一周边区域；以及该周边区域中的一第一监测结构，该第一监测结构包含：一第一沟槽共振器，包含一第一导电层及一第一介电层；以及一第二沟槽共振器，包含一第二导电层及一第二介电层，其中该第一介电层的一材料组成不同于该第二介电层的一材料组成。

附图说明

本揭示案的态样当与伴随附图一起阅读时根据以下详细描述加以理解。将了解，附图的元件及/或结构不一定按比例描绘。因此，各种特征的尺寸可出于论述的清晰性而任意地增加及/或减小。

图1至图6为根据一些实施例的在各种制造级段处的半导体结构的横截面图；

图7为根据一些实施例的包括半导体结构的半导体晶圆的俯视图；

图8为根据一些实施例的半导体结构的横截面图；

图9为例示根据一些实施例的形成半导体结构的方法的流程图；

图10例示根据一些实施例的示例性计算机可读媒体，其中可包含用以体现本文所阐述的规定中的一或多个的处理器可执行指令；

图11例示根据一些实施例的示例性计算环境，其中可实行本文所阐述的规定中的一或多个。

【符号说明】

100:半导体结构

105:基板层

110A:装置

110B:装置

110C:装置

115A,115B,115C:栅极介电层

120A,120B,120C:栅极电极

125A,125B,125C:源极/漏极区域

130A,130B,130C:侧壁间隔物