[发明专利]非易失性存储器及其控制方法、存储系统

权利要求书

1.一种非易失性存储器的控制方法，所述非易失性存储器包括多个存储串，每个所述存储串包括多个存储单元组，每个所述存储单元组包括多个存储单元，其特征在于，所述方法包括：

对所述存储串的部分存储单元组执行擦除再编程操作，其中，所述执行擦除再编程操作的存储单元组为第一存储单元组，所述存储串中未执行擦除再编程操作的存储单元组为第二存储单元组；以及

在对选中的存储单元进行读操作时，对未选中的存储单元施加导通电压，其中，对所述第一存储单元组中的未选中的存储单元施加第一导通电压，对所述第二存储单元组中的未选中的存储单元施加第二导通电压，其中，所述第一导通电压大于所述第二导通电压。

2.根据权利要求1所述的控制方法，其中，所述存储串还包括位于所述多个存储单元组之间的冗余单元组，所述方法还包括：

在对选中的存储单元进行读操作时，对所述冗余单元组施加第三导通电压，其中，所述第三导通电压小于所述第一导通电压，且所述第三导通电压大于所述第二导通电压。

3.根据权利要求2所述的控制方法，其中，所述第一导通电压与所述第三导通电压的电压差小于1V，所述第三导通电压与所述第二导通电压的电压差小于1V。

4.根据权利要求1所述的控制方法，其中，所述方法还包括：

在对选中的存储单元进行读操作时，对选中的存储单元施加读取电压。

5.根据权利要求1所述的控制方法，其中，所述非易失性存储器还包括与所述存储单元组相耦接的存储字线组，所述方法还包括：

通过与所述第一存储单元组对应的存储字线组对所述第一存储单元组中的未选中的存储单元施加所述第一导通电压，通过与所述第二存储单元组对应的存储字线组对所述第二存储单元组中的未选中的存储单元施加所述第二导通电压。

6.根据权利要求2所述的控制方法，其中，所述非易失性存储器还包括与所述冗余单元组相耦接的冗余字线组，所述方法还包括：

通过所述冗余字线组对所述冗余单元组施加所述第三导通电压。

7.根据权利要求1-6任一项所述的控制方法，其中，所述非易失性存储器包括单级单元SLC闪存存储器、多级单元MLC闪存存储器、三级单元TLC闪存存储器、四级单元QLC闪存存储器和五级单元PLC闪存存储器中的任意一个。

8.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：

存储阵列，包括多个存储串，每个所述存储串包括多个存储单元组，每个所述存储单元组包括多个存储单元，其中，所述存储串中的执行擦除再编程操作的存储单元组为第一存储单元组，未执行擦除再编程操作的存储单元组为第二存储单元组；以及

控制电路，配置为对选中的存储单元进行读操作时，对所述第一存储单元组中的未选中的存储单元施加第一导通电压，对所述第二存储单元组中的未选中的存储单元施加第二导通电压，其中，所述第一导通电压大于所述第二导通电压。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器，其中，所述存储串还包括位于所述多个存储单元组之间的冗余单元组，

所述控制电路还配置为：在选中的存储单元进行读操作时，对所述冗余单元组施加第三导通电压，其中，所述第三导通电压小于所述第一导通电压，且所述第三导通电压大于所述第二导通电压。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器，其中，所述非易失性存储器还包括：电压生成电路，耦合到所述存储阵列，并响应于所述控制电路的命令生成所述第一导通电压、所述第二导通电压以及所述第三导通电压。

11.根据权利要求9所述的非易失性存储器，其中，所述第一导通电压与所述第三导通电压的电压差小于1V，所述第三导通电压与所述第二导通电压的电压差小于1V。