[发明专利]晶棒切片装置及晶棒切片方法

权利要求书

1.一种晶棒切片装置，其特征在于，所述晶棒切片装置用来将一晶棒切割成多个芯片，所述晶棒切片装置包括：

两个牺牲材料，各具有一凹槽及相对于所述凹槽的一顶面，并且两个所述牺牲材料的两个所述凹槽用来分别容纳并抵接于所述晶棒的相反两侧部位；其中，在两个所述牺牲材料与所述晶棒的一横截面中，每个所述牺牲材料的所述凹槽对应于所述晶棒的一中轴线形成介于60度～180度的一圆心角；

多个滚轮，彼此间隔开地设置；以及

至少一个切割线，能移动地环绕多个所述滚轮设置，并且至少一个所述切割线的线径介于60微米～100微米；其中，当至少一个所述切割线用来切割所述晶棒与两个所述牺牲材料时，至少一个所述切割线从其中一个所述牺牲材料的所述顶面开始切割，继而对所述晶棒进行切割以形成多个所述芯片。

2.根据权利要求1所述的晶棒切片装置，其特征在于，两个所述牺牲材料的构造相对于所述中轴线镜像对称。

3.根据权利要求1所述的晶棒切片装置，其特征在于，每个所述牺牲材料的组成材料包含树脂，并且每个所述牺牲材料的硬度小于所述晶棒的硬度。

4.根据权利要求1所述的晶棒切片装置，其特征在于，在两个所述牺牲材料与所述晶棒的所述横截面中，每个所述牺牲材料的所述顶面相对于所述晶棒的外表面之间的最短距离不小于6毫米。

5.根据权利要求1所述的晶棒切片装置，其特征在于，邻近至少一个所述切割线的所述牺牲材料的所述顶面与一水平面不平行，而相对远离至少一个所述切割线的另一个所述牺牲材料的所述顶面与所述水平面平行。

6.根据权利要求1所述的晶棒切片装置，其特征在于，所述凹槽的所述圆心角介于70度～120度。

7.根据权利要求1所述的晶棒切片装置，其特征在于，两个所述牺牲材料的所述凹槽的所述圆心角相等。

8.根据权利要求1所述的晶棒切片装置，其特征在于，至少一个所述切割线的张力范围与至少一个所述切割线的线径范围呈正相关，并且至少一个所述切割线的所述张力范围介于8牛顿～14牛顿。

9.根据权利要求1所述的晶棒切片装置，其特征在于，至少一个所述切割线包含有面向两个所述牺牲材料中的一个所述牺牲材料且彼此平行的多个切割段，任两个相邻的所述切割段之间的一距离介于235微米～495微米，使所述晶棒被至少一个所述切割线切割后能形成多个厚度介于160微米～400微米的所述芯片。

10.一种晶棒切片方法，其特征在于，所述晶棒切片方法包括：

一保护步骤：将两个牺牲材料分别设置于一晶棒的外表面；其中，两个所述牺牲材料各具有一凹槽及相对于所述凹槽的一顶面，并且两个所述牺牲材料的两个所述凹槽用来分别容纳并抵接于所述晶棒的相反两侧部位；其中，在两个所述牺牲材料与所述晶棒的一横截面中，每个所述牺牲材料的所述凹槽对应于所述晶棒的一中轴线形成介于60度～180度的一圆心角；以及

一切割步骤：利用至少一个切割线从任一个所述牺牲材料的所述顶面切割，继而切割两个所述牺牲材料与所述晶棒，以使所述晶棒形成多个芯片；其中，至少一个所述切割线的线径介于60微米～100微米。