[发明专利]内连线结构在审

专利信息
申请号: 202210031627.8 申请日: 2022-01-12
公开(公告)号: CN114530431A 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 黄心岩;罗廷亚;李劭宽;邓志霖;李承晋;张孝慷;眭晓林 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L21/48
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 聂慧荃;郑特强
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 连线 结构
【说明书】:

本公开提出一种内连线结构。内连线结构包括介电层、第一导电结构、导电层、第一阻挡层、第二阻挡层及支撑层。第一导电结构位于介电层中;导电层位于介电层上。导电层包括相邻的第一部分与第二部分,且导电层的第二部分位于第一导电结构上。第一阻挡层接触导电层的第一部分;第二阻挡层接触导电层的第二部分;支撑层接触第一阻挡层与第二阻挡层。气隙位于第一阻挡层与第二阻挡层之间,且介电层与支撑层暴露至气隙。

技术领域

发明实施例涉及内连线结构,尤其涉及在边缘置换误差发生时减少线路至线路的漏电流的结构与方法。

背景技术

随着半导体产业导入更高功效与更多功能的新世代集成电路,形成集成电路的单元密度增加,而构件或单元读尺寸或彼此之间的空间减少。过去的尺寸缩小只受限于定义结构的光刻能力,但具有尺寸较小的装置其几何形状产生新的限制因素。举例来说,对任何两个相邻的导电结构而言,随着导电结构之间的距离减少,与导电结构之间的距离所分开的绝缘材料的介电常数成一函数的最终电容增加。电容增加会增加导电结构之间的电容耦合、增加能耗、并增加电阻-电容时间常数。

发明内容

本公开实施例的目的在于提出一种内连线结构,以解决上述至少一个问题。

根据本公开一实施例为内连线结构。结构包括介电层;第一导电结构,位于介电层中;以及导电层,位于介电层上。导电层包括相邻的第一部分与第二部分,且导电层的第二部分位于第一导电结构上。结构亦包括第一阻挡层,接触导电层的第一部分;第二阻挡层,接触导电层的第二部分;以及支撑层,接触第一阻挡层与第二阻挡层。气隙位于第一阻挡层与第二阻挡层之间,且介电层与支撑层暴露至气隙。

另一实施例为半导体结构。结构包括装置层;以及内连线结构,位于装置层上。内连线结构包括介电层;第一导电结构,位于介电层中;以及导电层,位于介电层上。导电层包括相邻的第一部分与第二部分,且导电层的第二部分位于第一导电结构上。结构还包括第一阻挡层,接触导电层的第一部分;以及第二阻挡层,接触导电层的第二部分。第一阻挡层与第二阻挡层隔有气隙。结构还包括第一介电材料位于气隙上,且第一介电材料的表面与导电层的第二部分的表面实质上共平面。结构还包括金属氧化物层,位于第一介电材料的表面上;以及第二导电结构,位于导电层的第二部分的表面上。第二导电结构与金属氧化物层相邻并位于金属氧化物层上。

本发明又一实施例为内连线结构的形成方法。方法包括形成导电层于介电层上;以及形成一或多个开口于导电层中,以露出介电层的部分。一或多个开口将导电层分成一或多个部分。方法还包括形成第一阻挡层于介电层的露出部分上;形成阻挡层以接触导电层的部分;移除第一阻挡层;形成可降解层于每一开口中;形成支撑层于每一开口中;移除可降解层以形成气隙于每一开口中;形成第一介电材料于支撑层上;形成盖层于导电层的每一部分上;形成第二阻挡层于每一盖层上;形成金属氧化物层于第一介电材料上;以及移除第二阻挡层。

附图说明

图1为一些实施例中,制造半导体装置结构的阶段的剖视图。

图2A至图2R为一些实施例中,制造内连线结构的多种阶段的侧剖视图。

附图标记如下:

H1,H2:高度

T1:厚度

100:半导体装置结构

102:基板

104:基板部分

106:源极/漏极外延结构

108:绝缘材料

118:接点蚀刻停止层

120:层间介电层

122,308,334,352:盖层

124:硅化物层

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