[发明专利]一种提高数据读取的成功率的方法、装置及介质

说明书

本发明公开了一种提高数据读取的成功率的方法、装置及介质，应用于固态硬盘技术领域，读取各参考电压下测试样本数据的读操作的成功样本数并计算各成功率，其中成功样本数为以解码单元为单位的测试样本数据的错误比特数小于解码纠错限值的数据；根据各成功率选取对应的参考电压组以生成固定查表；根据固定查表的目标参考电压读取数据。通过收集Nand闪存周期内不同阶段的参考电压候选表所有参考电压的读操作信息的成功率来选取参考电压组生成固定查表，避免在Nand闪存的终期由于芯片的老化导致的参考电压发生偏转从而影响读取数据失败的问题，提高固态硬盘的读操作成功率，提高吞吐量和命中率，保证固态硬盘的数据存储能力。

技术领域

本发明涉及固态硬盘技术领域，特别是涉及一种提高数据读取的成功率的方法、装置及介质。

背景技术

Nand 闪存（Nand Flash）是目前应用广泛的存储介质，其原理是通过存储在存储单元中不同的电荷量呈现出不同的电压值来记录数据。但由于Nand颗粒的电气特性，在其生命周期中随着闪存擦/写次数（Program/Erase counts，PE），数据的保留时间（RetentionTime，RT），读取次数（Read Disturb，RD）等因素的变化，会使存储单元存储电荷的特性发生改变，因此参考电压轴也要随之改变，否则会导致比特出错率（Bit Error Rate，BER）过高，超出解码能力导致读取失败。

通常情况下，普遍通过固定查表( Fixed Read Tables，FRT )解决上述情况，其固定查表的生成是Nand 闪存的生命周期不同阶段的PE、RT、RD三个维度根据生产厂家提供的一份具有多个参考电压候选表，逐步根据每个参考电压下对多个环境周期的三个维度中选择最优的三个参考电压，在Nand 闪存的生命周期的前期选用参考电压候选表生成的固定查表可以提高读取数据的成功率，但Nand 闪存的生命周期有限，尤其在终期时随着芯片的老化，固态硬盘对于数据的存储能力降低，参考电压会发生偏转，降低了固态硬盘的读操作成功率，同时要求达到的吞吐量也很慢，导致命中率降低。

因此，如何提高数据读取的成功率是本领域技术人员亟需要解决的。

发明内容

本发明的目的是提供一种提高数据读取的成功率的方法、装置及介质。提高固态硬盘的读操作成功率，提高吞吐量和命中率。

为解决上述技术问题，本发明提供一种提高数据读取的成功率的方法，包括：

获取参考电压候选表中的多个参考电压和以解码单元为单位的测试样本数据的读操作信息；

读取各参考电压下测试样本数据的读操作的成功样本数并计算各成功率，其中成功样本数为测试样本数据的错误比特数小于解码纠错限值的样本数；

根据各成功率选取对应的参考电压组以生成固定查表；

根据固定查表的目标参考电压读取数据。

优选地，参考电压组包括第一目标参考电压，根据各成功率选取对应的参考电压组以生成固定查表，包括：

将各成功率从大到小进行排序生成成功率表；

在成功率表中选取各成功率大于第一限值对应的参考电压，并将参考电压加入第一候选表中；

选取第一候选表中成功率最大的测试样本数据对应的参考电压作为第一目标参考电压并生成固定查表。

优选地，获取以解码单元为单位的测试样本数据的读操作信息，包括：

获取多个闪存颗粒的存储块数据；

将多个闪存颗粒根据闪存擦/写次数阶段的预设间隔对应不同的闪存擦/写次数阶段，将存储块数据根据数据保留时间阶段的预设间隔对应闪存擦/写次数阶段下的不同数据保留时间阶段；

根据不同数据保留时间阶段的存储块数据执行对应的数据保留时间操作；