[发明专利]一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法有效
| 申请号： | 202210035563.9 | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN114486814B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 巫江;黄一轩;任翱博;沈凯 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/49 | 分类号： | G01N21/49 |
| 代理公司： | 成都聚蓉众享专利代理有限公司 51291 | 代理人： | 刘艳均 |
| 地址： | 611730 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光电 探测器 浊度 测试 系统 构建 方法 | ||
1.一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、使用透明胶带将机械剥离的MoSe2薄片转移到衬底上，首先通过光刻对衬底进行图案化处理，然后通过电子束在衬底上沉积金电极，并通过丙酮洗去未图案化电极部分，得到MoSe2光电器件，光刻时采用反刻胶对衬底进行图案化处理，分别进行4.5秒的前曝和90秒的泛曝，电子束沉积在衬底上金电极厚度为60nm，沉积速率为20nm/h；
S2、将步骤1将所制备的光电器件在氩气气氛中进行退火处理，退火温度300℃，退火时间3个小时，升温速率20℃/min；
S3、再通过反应离子刻蚀机在MoSe2光电器件的MoSe2薄片上进行O2等离子体处理，为了防止在MoSe2纳米片上过度蚀刻，MoSe2薄片被处理两次，每次O2等离子体处理15秒，间隔10秒，最终制得MoSe2-O2光电探测器；
S4、再将照明源、激光驱动器、MoSe2-O2光电探测器、探测器驱动器和低噪声放大器联合搭建浊度测试系统。
2.按照权利要求1所述的一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，其特征在于，所述步骤S2中，进行O2等离子体处理时，控制反应离子刻蚀机的压力为470m Torr，氧气流量为5sccm，功率为20mW。
3.按照权利要求1所述的一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，其特征在于，所述衬底为SiO2/Si衬底。
4.按照权利要求1所述的一种基于光电探测器的浊度测试系统的构建方法，所述步骤S4中，低噪声放大器和探测器驱动器均与MoSe2-O2光电探测器电信号连接，所述激光驱动器与照明源电信号连接。
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